[发明专利]改进量子分裂的氧化物基荧光物,生产方法及其设计准则有效
申请号: | 02119783.0 | 申请日: | 2002-05-17 |
公开(公告)号: | CN1386816A | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | A·A·塞特卢尔;H·A·科曼佐;A·M·斯里瓦斯塔瓦 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张元忠,杨丽琴 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 量子 分裂 氧化物 荧光 生产 方法 及其 设计 准则 | ||
1、一种以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,该物质含有选自铝和硼元素的氧化物,至少一种选自锶、钙和镁的正电荷反离子;所述的氧化物掺杂了Pr3+和Mn2+离子;所述的荧光物质在用VUV辐射照射时具有量子分裂性能。
2、根据权利要求1所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,它还掺杂了Gd3+离子。
3、根据权利要求1所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,它具有式Sr1-xCaxAl12O19∶Pr3+,Mn2+,其中0≤x≤1。
4、根据权利要求1所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,它具有式Sr1-xCaxAl12O19:Pr3+,Mn2+,A,其中0≤x≤1,而A是选自La3+和Mg2+中的至少一个。
5、根据权利要求4所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,其中Pr3+的量是约0.005-0.1摩尔分数。
6、根据权利要求4所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,其中Mn2+的量是约0.005-0.5摩尔分数。
7、根据权利要求4所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,它还掺杂了Gd3+离子。
8、根据权利要求7所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,其中Gd3+的量是约0.005-0.5摩尔分数。
9、根据权利要求1所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,它具有式La1-x-y-zGdxPryMnzB3O6,其中x是约0.005-0.99,y是约0.05-0.1,z是约0.005-0.5,并且x+y+z<1。
10、根据权利要求1所述的以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,它具有式La1-x-yGdxPryMg1-zMnzB5O10,式中x是约0.005-0.995,y是约0.05-0.1,z是约0.005-0.5,并且x+y<1。
11、一种制备量子分裂荧光物质的方法,所述方法包括步骤:(1)选择所述荧光物质所希望的最后组成,以达到用至少镨和锰离子活化该荧光物质;(2)镨和锰的含氧化合物,与选自锶、钙、铝、硼、钆、镧和镁的含氧化合物混合在一起,用量能达到所述荧光物质所希望的最后组成;(3)生成基本均匀的所选化合物混合物;和(4)在非氧化气氛中,在足以得到所希望的组成,并保持所述镨离子为3+价态,所述锰离子为2+价态的温度与时间下煅烧该基本均匀的混合物。
12、根据权利要求11所述的方法,其中所述非氧化性气氛可由选自一氧化碳、二氧化碳、氢气、氮气、氨气、肼、胺及其组合的材料产生。
13、根据权利要求11所述的方法,其中所述煅烧可以在温度500-2000℃下等温进行。
14、根据权利要求13所述的方法,其中所述的温度优选是约900-1700℃,更优选约1000-1600℃,最优选约1400-1600℃。
15、根据权利要求14所述的方法,其中所述的煅烧连续进行,其时间足以将所述的基本均匀的混合物转化成所述的所希望最后组成。
16、根据权利要求11所述的方法,其中所述温度缓慢从室温升到最终温度约1600-1700℃时进行所述的煅烧。
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