[发明专利]具有相同特性的存储单元的半导体存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器的方法，其中包括步骤：

(a)在半导体衬底上，通过层间绝缘薄膜，形成下电极薄膜；

(b)在加热所述下电极层的同时，在所述下电极层上形成铁电薄膜；

(c)在所述铁电薄膜上形成上电极薄膜；和

(d)在存储单元阵列区形成铁电电容器，每个所述铁电电容器包括所述下电极薄膜，所述铁电薄膜，和所述上电极薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下电极薄膜由包含铂，铱，氧化铱，钌，氧化钌的至少之一的金属形成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于进一步包括步骤：

(e)在所述存储单元阵列区和所述存储单元阵列区外面的连接区，形成经过所述层间绝缘薄膜达至所述半导体衬底、并与所述下电极薄膜相连的传热路径，和

其中，所述(b)形成步骤包括步骤：

经由所述传热路径，加热所述下电极薄膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述(e)形成步骤包括：

每次形成所述层间绝缘薄膜部分时，为经过一部所述层间绝缘薄膜的所述路径形成接触插塞。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加热包括步骤：

加热所述半导体衬底。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述存储单元阵列区中所述传热路径的密度实质上上与所述连接区中所述传热路径的密度相同。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述(e)形成步骤进一步包括步骤：

在所述连接区外面的所述外围电路区中的所述层间绝缘薄膜中形成附加的传热路径，与所述连接区中的所述传热路径相连。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述(b)形成步骤包括步骤：

加热所述半导体衬底至450℃左右。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述(a)形成步骤包括步骤：

形成所述下电极薄膜扩展至所述存储单元阵列区之外。

10.一种具有存储单元阵列区、外围电路区、和处于所述存储单元阵列区与所述外围电路区之间的连接区的半导体存储器，其中包括：

通过所述存储单元阵列区中的层间绝缘薄膜，形成在半导体衬底上的铁电电容器；和

形成在所述连接区中的层间绝缘薄膜上的传热薄膜；和

其中，所述传热薄膜经过从所述层间绝缘薄膜通过的传热路径，分别与所述半导体衬底相连。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器，其特征在于，当所述铁电电容器的下电极层形成时，形成所述传热薄膜的层。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述下电极层由包含铂、铱、氧化铱、钌和氧化钌的至少之一的金属形成。

13.根据权利要求10至12的任一项所述的半导体存储器，其特征在于进一步包括形成在所述存储单元阵列区和所述连接区中的所述半导体衬底上的MOS晶体管，和

其中，每个所述铁电电容器与形成在所述存储单元阵列中的所述MOS晶体管之一相连，每个所述传热薄膜与形成在所述连接区中的所述MOS晶体管之一相连。

14.根据权利要求10至12的任一项所述的半导体存储器，其特征在于，所述铁电电容器的密度实质上和所述传热薄膜的密度相同。

15.根据权利要求10至12的任一项所述的半导体存储器，其特征在于进一步包括形成在所述外围电路区的附加传热薄膜，和

其中，所述附加传热薄膜与所述连接区中的任何所述传热路径相连。

16.根据权利要求10至12的任一项所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器是逻辑电路嵌入式FeRAM。

17.根据权利要求10至12的任一项所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器是逻辑电路嵌入式非易失性SRAM。