[发明专利]具有防止地磁导致的电子束误着屏的结构的阴极射线管无效

专利信息
申请号: 02119864.0 申请日: 2002-05-17
公开(公告)号: CN1387227A 公开(公告)日: 2002-12-25
发明(设计)人: 金赞容;申淳澈;李应硕;成始铎;蒋日焕;金沅镐;片度勋 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J29/06 分类号: H01J29/06;H01J29/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒,魏晓刚
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 防止 地磁 导致 电子束 误着屏 结构 阴极射线管
【权利要求书】:

1.一种阴极射线管,包括:

屏板,该屏板具有前部屏幕部分和荧光屏,所述屏板具有一体地形成在前部屏幕部分的边缘上的屏板凸缘;

玻锥,其连接至屏板凸缘上;

偏转线圈,其设置在所述玻锥周围;

管颈,其连接至所述玻锥;

电子枪,其设置在所述管颈内;

色彩选择装置,其选择从所述电子枪发射出的电子束,所选的电子束着落在荧光屏的荧光粉上;以及

屏蔽地磁的内部屏蔽件,所述内部屏蔽件安装在所述色彩选择装置上,所述色彩选择装置包括:

形成有多个电子束通过孔的荫罩,所述荫罩为矩形且具有纵轴和横轴;

将所述荫罩以张紧状态支撑的框;以及

一对屏蔽地磁的侧部屏蔽元件,所述侧部屏蔽元件安装在所述框架的横向侧上。

2.如权利要求1所述的阴极射线管,其特征在于,所述内部屏蔽件屏蔽地磁的沿纵轴的第一分量,所述对侧部屏蔽元件屏蔽地磁的沿横轴的第二分量。

3.如权利要求1所述的阴极射线管,其特征在于,所述内部屏蔽件具有第一磁导率,所述侧屏蔽元件具有高于第一磁导率的第二磁导率。

4.如权利要求1所述的阴极射线管,其特征在于,所述框架包括:

一对彼此平行且彼此相距一预定距离地设置的支撑元件;以及

一对固定在所述支撑元件两端上并与所述荫罩的横向侧相对应的弹性元件。

5.如权利要求4所述的阴极射线管,其特征在于,每一个所述的侧部屏蔽元件固定在相应的一个所述弹性元件上,并阻挡所述荫罩和该相应的一个所述弹性元件之间限定的空间。

6.如权利要求4所述的阴极射线管,其特征在于,所述侧屏蔽元件固定在所述支撑元件上。

7.如权利要求1所述的阴极射线管,其特征在于,每一个所述侧部屏蔽元件由如下的材料形成,该材料在约0.35高斯的磁通密度的磁场中,具有大于400的磁导率。

8.一种装置,包括:

屏蔽地磁的内部屏蔽件;

色彩选择单元,其选择从一电子枪发射出的电子束,所选的电子束着落在荧光屏的荧光粉上,所述内部屏蔽件安装在所述色彩选择单元上,所述色彩选择单元包括:

形成有多个电子束通过孔的荫罩;

将所述荫罩以张紧状态支撑的框架;以及

一对屏蔽地磁的侧部屏蔽元件,所述侧部屏蔽元件安装在所述框架的相对侧上。

9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述内部屏蔽件屏蔽地磁的沿第一方向的第一分量,所述那对侧部屏蔽元件屏蔽地磁的沿垂直于第一方向的第二方向的第二分量。

10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述装置安装在阴极射线管的内部,第一方向平行于阴极射线管的管轴方向。

11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述内部屏蔽件具有第一磁导率,所述侧部屏蔽元件具有高于第一磁导率的第二磁导率。

12.如权利要求11所述的装置,其特征在于,所述框架包括:

一对彼此平行且彼此相距一预定距离地设置的支撑元件;以及

一对固定在所述支撑元件两端上以形成所述荫罩的侧部的弹性元件。

13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,每一个所述的侧部屏蔽元件固定在相应的一个所述弹性元件上,并阻挡所述荫罩和该相应的一个所述弹性元件之间限定的空间。

14.如权利要求13所述的装置,其特征在于,所述侧部屏蔽元件固定在所述支撑元件上。

15.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述侧部屏蔽元件固定在所述支撑元件上。

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