[发明专利]制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体

权利要求书

1.一种半导体制造系统，它装备了反应炉和原料气供应单元，并且它能够通过利用安装在反应炉中的喷嘴单元将来自所述原料气供应单元的原料气排放到所述反应炉中安装的衬底的表面，从而利用外延汽相淀积工艺制造化合物半导体，

所述半导体制造系统的特征在于：

在所述喷嘴单元的原料气喷嘴装置的内侧和外侧之间产生压力差。

2.如权利要求1所述的半导体制造系统，其特征在于通过在所述喷嘴单元中安装压差产生装置来产生所述压力差。

3.如权利要求2所述的半导体制造系统，其特征在于提供多级所述压差产生装置。

4.如权利要求2或3所述的半导体制造系统，其特征在于所述压差产生装置是安装在所述喷嘴单元的原料气喷嘴装置附近的至少一个多孔板。

5.如权利要求1所述的半导体制造系统，其特征在于为所述反应炉提供冷却系统以冷却所述反应炉的外壁部分。

6.如权利要求2所述的半导体制造系统，其特征在于通过在所述喷嘴单元中安装至少一个挡板构成所述压差产生装置。

7.如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于在所述喷嘴单元的所述进口喷嘴装置附近安装多孔板。

8.如权利要求6或7所述的半导体制造系统，其特征在于为所述反应炉提供冷却系统以冷却所述反应炉的外壁部分。

9.一种半导体制造系统，它装备了原料气供应单元和反应炉，所述反应炉从所述原料气供应单元接收原料气并通过金属有机物的热分解在半导体衬底上形成薄膜晶体层，

所述半导体制造系统的特征在于其中包括：

在所述反应炉中提供的引入装置，用于向半导体衬底的表面传递从所述原料气供应单元接收的原料气，其中引入装置包含一个中空通道，用来将来自原料气供应单元的原料气引导到指定的第一方向上；以及一个喷气嘴，用来以第二方向喷射来自中空通道的原料气，所述第二方向基本上垂直于所述第一方向，

所述半导体衬底被浸泡在从喷气嘴射出的原料气流中。

10.如权利要求9所述的半导体制造系统，其特征在于所述引入装置上提供了由所述中空通道和所述喷气嘴构成的条形空腔装置。

11.如权利要求9或10所述的半导体制造系统，其特征在于所述喷气嘴由沿所述第一方向间隔开的多个孔构成。

12.如权利要求11所述的半导体制造系统，其特征在于所述多个孔的间隔是这样设置的、使得从所述多个孔喷射出来的原料气形成的所述气流在所述半导体衬底上是均匀的。

13.如权利要求11所述的半导体制造系统，其特征在于所述孔的形式为通孔。

14.如权利要求9或10所述的半导体制造系统，其特征在于所述喷气嘴由在所述第一方向上延伸的缝隙构成。

15.如权利要求9所述的半导体制造系统，其特征在于所述引入装置内部由至少一条冷却剂通道构成，以传递用于冷却的流经所述中空通道的冷却剂。

16.如权利要求15所述的半导体制造系统，其特征在于在靠近所述中空通道的地方提供至少一条冷却剂通道。

17.如权利要求16所述的半导体制造系统，其特征在于在靠近所述中空通道的地方的相对侧提供两条冷却剂通道。

18.如权利要求9所述的半导体制造系统，其特征在于所述引入装置上提供了由所述中空通道和所述喷气嘴构成的环状空腔装置。

19.如权利要求18所述的半导体制造系统，其特征在于所述喷气嘴由沿所述第一方向间隔开的多个孔构成。

20.如权利要求18或19所述的半导体制造系统，其特征在于所述孔的形式为通孔。

21.如权利要求19所述的半导体制造系统，其特征在于所述多个孔的间隔是这样设置的、使得从所述多个孔喷射出来的原料气形成的所述气流在所述半导体衬底上是均匀的。

22.一种利用权利要求9、10、15、16、18、19或21中的任何一个所述的半导体制造系统的用于制造化合物半导体的化合物半导体制造系统。