[发明专利]高压处理装置和方法无效
申请号: | 02120051.3 | 申请日: | 2002-05-17 |
公开(公告)号: | CN1387236A | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | 沟端一国雄;村冈祐介;斉藤公続;北门龙治;井上阳一;坂下由彦;渡邉克充;山形昌弘 | 申请(专利权)人: | 日本网目版制造株式会社;株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/461;B08B3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 处理 装置 方法 | ||
1.一种采用高压流体完成基板预定处理的高压处理装置,包括:
高压流体供给部分,它用于将预定的处理流体转变为高压流体并提供高压流体;
基板处理部分,它允许高压流体供给部分所提供的高压流体与基板相接触来处理放置于处理腔中的基板;
高压流体回收部分,在高压流体用于处理在基板处理腔中的基板之后,该部分回收和重复使用高压流体;
空气替换流体供给部分,它用于向处理腔提供空气替换流体,该空气替换流体具有与高压流体相同的成分;以及,
排出部分,它用于排出在处理腔中的气体残余物,
其中,在将基板放置于处理腔随即关闭处理腔之后直至开始提供高压流体的期间,空气替换流体供给部分向处理腔提供空气替换流体,以及排出部分利用所提供的空气替换流体排斥出在处理腔中的气体残余物。
2.如权利要求1所述的高压处理装置,其特征在于:空气替换流体供给部分提供被转变为高压流体前的处理流体作为空气替换流体。
3.如权利要求1所述的高压处理装置,其特征在于:空气替换流体供给部分向处理腔提供空气替换流体直至将基板放置于处理腔且随即关闭处理腔。
4.如权利要求1所述的高压处理装置,其特征在于:基板处理部分采用循环高压流体来处理基板。
5.如权利要求1所述的高压处理装置,其特征在于:高压流体供给部分所提供的高压流体是超临界流体。
6.一种采用高压流体完成基板预定处理的高压处理方法,包括:
在将要作处理的基板放置于处理腔后随即关闭该处理腔之后,向处理腔提供空气替换流体的步骤,空气替换流体具有与高压流体相同的成分;
利用提供空气替换流体排斥出在处理腔中的气体残余的排出步骤;
将预定的处理流体转变为高压流体并提供高压流体的步骤;
采用所提供的高压流体来处理置于处理腔中的基板的步骤;
在高压流体用于处理基板之后用于重复使用高压流体的回收步骤;
7.如权利要求6所述的高压处理方法,其特征在于:空气替换流体是转变为高压流体之前的处理流体。
8.如权利要求6所述的高压处理方法,进一步包括:向处理腔提供空气替换流体直至基板放置于处理腔随即关闭处理腔的步骤。
9.如权利要求6所述的高压处理方法,其特征在于:处理基板的步骤是采用循环高压流体来进行。
10.如权利要求6所述的高压处理方法,其特征在于:在提供高压流体的步骤中所提供的高压流体是超临界流体。
11.一种采用高压流体处理要处理物体的高压处理装置,包括:
循环线,它用于以一个方向来循环高压流体;
设置在在循环线中的处理部分,用于通过使用循环线所循环的高压流体来处理待处理的物体,以及在处理之后将高压流体返回循环线;
设置在循环线中的供给/排出开关切换部分,用于开关诸管道使得高压流体再流入两个管道中所选择的至少一个管道,其中一个管道是向循环线供给高压流体,而另一个管道则是从循环线中排出高压流体;
供给管线,用于通过供给/排出开关切换部分向循环线提供高压流体;
排出管线,用于从循环线中排出高压流体;以及,
旁路管道,用于使来自供给/排出开关切换部分通过循环线所循环的高压流体改向从而被提供给排出管线;
其中:当处理待处理的物体时,从供给管线所提供的高压流体通过循环线循环,以及
当清洁循环线时,供给/排出开关切换部分开关切换诸管道使得从供给管线所提供的高压流体在其经过循环线完成一次循环之后毫无残余地通过旁路管道流入排出管线。
12.如权利要求11所述的高压处理装置,其特征在于:循环线进一步包括设置在处理部分入口侧的化学试剂混合部分,操作该化学试剂混合部分向循环线提供来自将化学试剂供给部分的化学试剂而不是高压流体。
13.如权利要求11所述的高压处理装置,其特征在于:循环线进一步包括用于加热通过循环线所循环的高压流体的加热部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造