[发明专利]化合物半导体开关电路装置

权利要求书

1.一种化合物半导体开关电路装置，该装置在沟道区表面上形成设有源极、栅极及漏极的第一及第二FET，将两个FET的源极或漏极作为公用输入端子，将两个FET的漏极或源极作为第一及第二输出端子，从连接在两个FET的栅极上的第一及第二控制端子施加控制信号，使某一FET导通，上述公用输入端子和上述第一及第二输出端子中的某一方形成信号路径，该化合物半导体开关电路装置的特征在于：

上述两个FET分别形成为具有不同的栅极宽度的非对称型，设定上述的一个FET的栅极宽度比另一个的栅极宽度小，上述另一个FET的Idss比上述一个FET的Idss大。

2.一种化合物半导体开关电路装置，该装置在沟道区表面上形成设有源极、栅极及漏极的第一及第二FET，将两个FET的源极或漏极作为公用输入端子，将两个FET的漏极或源极作为第一及第二输出端子，从连接在两个FET的栅极上的第一及第二控制端子施加控制信号，使某一FET导通，上述公用输入端子和上述第一及第二输出端子中的某一方形成信号路径，该化合物半导体开关电路装置的特征在于：

使上述的一个FET的栅极宽度在400微米以下，使另一个FET的栅极宽度比400微米大，而且使上述的一个FET的Idss比另一个FET的Idss小。

3.如权利要求1或2所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述两个FET由与上述沟道区进行肖特基接触的栅极、与上述沟道区进行欧姆接触的源极及漏极构成。

4.一种化合物半导体开关电路装置，该装置形成与沟道区表面进行肖特基接触的栅极、以及与上述沟道区进行欧姆接触的源极及漏极的第一及第二FET，将两个FET的源极或漏极作为公用输入端子，将两个FET的漏极或源极作为第一及第二输出端子，从连接在两个FET的栅极上的第一及第二控制端子施加控制信号，使某一FET导通，上述公用输入端子和上述第一及第二输出端子中的某一方形成信号路径，该化合物半导体开关电路装置的特征在于：

使上述的一个FET的栅极宽度在400微米以下，使另一个FET的栅极宽度比400微米大，而且使一个FET的Idss比另一个FET的Idss小，使上述的一个FET的夹断电压比上述另一个FET的夹断电压小。

5.如权利要求4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

控制上述另一个FET的沟道区的离子注入条件，而且增大栅极宽度，以增加Idss，获得规定的最大线性输入功率。

6.如权利要求4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

使规定的最大线性输入功率通过上述Idss大的FET时，上述夹断电压低的FET通过增大夹断电压和加在其栅极肖特基结上的反相偏压之差，承受上述规定的最大线性输入功率。

7.如权利要求1或2或4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

在上述信号路径的接收侧使用上述一个FET，在上述信号路径的发送侧使用上述另一个FET。

8.如权利要求1或2或4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

将连接上述栅极宽度大的FET的栅极及第一控制端子的全部连接装置、以及将上述栅极宽度大的FET的一部分配置在上述栅极宽度大的FET的周围所配置的上述第一控制端子及与上述第一输出端子对应的焊接区之间。

9.如权利要求1或2或4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

22dBm大小的最大线性功率能输入到上述栅极宽度大的FET中。

10.如权利要求1或2或4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述两个FET分别有不同的杂质浓度的沟道区。

11.如权利要求1或2或4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述两个FET分别有深度不同的沟道区。

12.如权利要求1或2或4所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

作为半隔离性衬底使用GaAs衬底，在其表面上形成上述沟道区。