[发明专利]利用硒化晶片接合的用于原子分辨率存储移动器的加工方法无效
| 申请号： | 02120306.7 | 申请日： | 2002-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387251A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | H·李;C·C·杨;P·哈特维尔 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;B81B5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京,黄力行 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 晶片 接合 用于 原子 分辨率 存储 移动 加工 方法 | ||
1.一种用于加工原子分辨率存储系统(200)的方法包括：
通过在第一晶片(220)的第一侧上淀积导电电极(434(c))加工(610)第一晶片(220)的第一侧；
在第一晶片(220)的第一侧上淀积(612)保护层(350)；
接合(614)第一晶片(220)和处理晶片(530)；
使第一晶片(220)在其第二侧被薄化(616)；
加工(620)第二晶片(230)；
接合(626)第一晶片(220)和第二晶片(230)；以及
除去(628)处理晶片(530)。
2.如权利要求1所述的方法，还包括形成(634)悬簧(240)。
3.如权利要求2所述的方法，其中形成悬簧的步骤包括：
图形化保护层(350)；
有选择地刻蚀保护层(350)；以及
利用保护层(350)作为掩模对第一晶片(220)有选择地进行深的硅刻蚀。
4.如权利要求1所述的方法，其中淀积保护层的步骤包括淀积氧化物层或光刻胶(PR)层。
5.如权利要求1所述的方法，其中淀积保护层的步骤包括淀积硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层。
6.如权利要求1所述的方法，其中接合第一晶片和处理晶片的步骤包括接合网状的处理晶片(530)和第一晶片(220)。
7.如权利要求1所述的方法，其中接合第一晶片和处理晶片的步骤包括采用硒化反应。
8.如权利要求7所述的方法，其中去除步骤包括借助于对接合层(520)有选择地进行湿刻，从而除去处理晶片(530)。
9.如权利要求1所述的方法，还包括通过在第一晶片(220)的第二侧上淀积导电电极(434(a))加工(618)第一晶片(220)的第二侧。
10.如权利要求1所述的方法，其中加工第二晶片的步骤包括通过在第二晶片(230)的表面上淀积导电电极(434(b))，加工(624)第二晶片(230)的表面。
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