[发明专利]半导体器件及其生产方法有效
申请号: | 02121344.5 | 申请日: | 2002-06-14 |
公开(公告)号: | CN1392611A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 真篠直宽;東光敏 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静,李峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
1.一种半导体器件,包含:
半导体基片;
在所述半导体基片一个表面上形成的电子元件;
在所述一个表面上形成的并与所述电子元件电连接的电极垫片,该电极垫片有一个延伸部分;
穿过所述电极垫片和所述半导体基片的通孔;
在至少是所述半导体基片的另一表面上、所述通孔的内壁以及包括所述延伸部分的电极垫片上形成的绝缘膜;
在所述电极垫片的延伸部分上的所述绝缘膜中提供的通路孔;
互连图案,通过所述通孔和所述通路孔把所述电极垫片电引导到所述半导体基片的另一表面;以及
所述通孔在穿过所述电极垫片部分的直径大于穿过所述半导体基片部分的直径。
2.如权利要求1中提出的半导体器件,其中所述互连图案还把所述电极垫片电引导到所述半导体基片的一个表面。
3.一个半导体模块,包含多个如权利要求2中提出的半导体器件,它们叠加在一起,并通过外部连接端子使每个底半导体器件和顶半导体器件的相对表面的互连图案电连接。
4.如权利要求1中提出的半导体器件,其中所述通孔以导体填充,该导体与所述互连图案电连接。
5.一个半导体模块,包含多个如权利要求4中提出的半导体器件,它们叠加在一起,并通过外部连接端子使每个底半导体器件和顶半导体器件的相应通孔中填充的导体电连接。
6.一种生产半导体器件的方法,包含如下步骤:
在半导体基片的一个表面上形成电子元件;
在该半导体基片的所述一个表面上形成与所述电子元件电连接的电极垫片,该电极垫片有一个延伸部分;
通过形成图案在所述电极垫片中形成第一开口;
通过所述第一开口发射激光束,从而在包括所述电子元件的所述半导体基片中形成第二开口,该激光束的直径小于所述第一开口的直径,于是由所述第一开口和所述第二开口确定一个通孔;
在至少是所述半导体基片的另一表面,所述通孔的内壁以及包括所述延伸部分的电极垫片上形成绝缘膜;
通过对所述绝缘膜形成图案形成通路孔,以暴露所述电极垫片的所述延伸部分的一部分;
在所述绝缘膜上和所述通路孔中形成导体膜;以及
通过对所述导体层形成图案形成互连图案,该互连图案把所述电极垫片经由所述通孔和所述通路孔电引导到所述半导体基片的另一表面。
7.如权利要求6中提出的生产半导体器件的方法,其中形成第一开口的步骤和形成第二开口的步骤在它们之间包括一个研磨该半导体基片另一表面的步骤,以减小该半导体基片的厚度。
8.如权利要求6中提出的生产半导体器件的方法,其中形成通路孔的步骤是由激光束在所述绝缘膜上开口形成的。
9.如权利要求6中提出的生产半导体器件的方法,其中通过形成所述互连图案的步骤形成所述互连图案,从而也把所述电极垫片电引导到所述半导体基片的所述一个表面。
10.一种生产半导体模块的方法,包含如下步骤:
准备多个由权利要求9中提出的方法生产的半导体器件,以及
通过外部连接端子电连接所述半导体器件的互连图案,从而把所述半导体器件叠加成多层。
11.如权利要求6中提出的生产半导体器件的方法,包括形成所述导体膜后以导体填充所述通孔的步骤,该导体与所述导体膜电连接。
12.一种生产半导体模块的方法,包含如下步骤:
准备多个如权利要求11中提出的方法生产的半导体器件,以及
通过外部连接端子电连接从所述多个半导体器件相应通孔的开口暴露出来的导体,从而把所述半导体器件叠加成多层。
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