[发明专利]用于具有高热稳定性超浅结中的含铱硅化镍及其制法

权利要求书

1.一种在硅基体上制备硅化镍的方法，包括如下步骤：

提供硅基体；

在所说的硅基体上沉积铱；

在所说的硅基体上沉积镍，其中所说的镍与所说的铱相接触；而且

将所说的铱和镍退火以在所说的硅基体上形成硅化镍。

2.权利要求1的方法，其中所说的在硅基体上沉积铱的步骤包括直接在所说的硅基体上沉积铱薄膜，和其中所说的在硅基体上沉积镍的步骤包括在所说的铱薄膜上沉积镍薄膜。

3.权利要求1的方法，其中所说的在硅基体上沉积镍的步骤包括在所说的硅基体上沉积第一层镍薄膜，其中所说的在硅基体上沉积铱的步骤包括在所说的第一层镍薄膜上沉积铱薄膜，和其中所说的在硅基体上沉积镍的步骤还包括在所说的铱薄膜上沉积第二层镍薄膜以在所说的硅基体上形成一层镍-铱-镍薄膜结构。

4.权利要求1的方法，其中所说的在硅基体上沉积镍和铱的步骤包括在所说的硅基体上共沉积铱和镍以在所说的硅基体上形成镍-铱薄膜。

5.权利要求2的方法，其中所说的铱薄膜的厚度为5-20埃，和所说的镍薄膜的厚度为25-200埃。

6.权利要求3的方法，其中所说的第一层镍薄膜的厚度为25-200埃，所说的铱薄膜的厚度为5-20埃，和所说的第二层镍薄膜的厚度为25-200埃。

7.权利要求1的方法，其中所说的硅化镍的厚度为90-700埃。

8.权利要求1的方法，其中所说的铱和镍的退火步骤包括快速热退火步骤，其在300-700℃的温度下进行10秒至2分钟。

9.权利要求1的方法，其中所说的退火步骤将所说的镍和铱转变为其中含络合铱的二硅化镍，其中所说的二硅化镍没有所说的硅基体中沿(111)面的平面。

10.权利要求1的方法，其中所说的硅基体选自无定形硅基体和(100)硅基体。

11.权利要求1的方法，其中所说的硅基体包括深度最大为100nm的结。

12.权利要求1的方法，其中所说的铱限定了位于至少一部分所说镍和硅基体之间的铱夹层，这样在所说的铱和镍的退火步骤期间在所说的硅基体上形成硅化镍，所说的至少一部分镍通过所说的铱夹层扩散。

13.一种微电子学器件包含：

硅基体；和

位于所说的硅基体上的硅化镍，其中所说的硅化镍中含有铱。

14.权利要求13的器件，其中所说的器件是一个选自P+/N结和N+/P结的结。

15.权利要求13的器件，其中所说的器件具有不大于15欧姆/平方的表面电阻。

16.权利要求13的器件，其中所说的硅化镍的厚度为90-700埃，和其中所说的铱的厚度为5-20埃。

17.权利要求13的器件，其中所说的硅化镍在高于700℃的温度下是稳定的。

18.权利要求13的器件，其中所说的硅化镍含没有在所说的硅基体中沿(111)面的平面。

19.权利要求13的器件，其中所说的硅基体选自无定形硅基体和(100)硅基体。

20.权利要求14的器件，其中所说的结的最大深度为100nm。

21.权利要求9的方法，其中所说的二硅化镍中包括小于15原子％的络合铱。