[发明专利]低功率MRAM存储器阵列有效
| 申请号： | 02121618.5 | 申请日： | 2002-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1388533A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | M·巴塔查里亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mram 存储器 阵列 | ||
1.一种MRAM存储器阵列(100)，包括：
存储器单元(150)阵列；
多个在第一方向(x)延伸的非线性字线(110)；和
多个在第二方向(y)延伸的实质线性的位线(120)，其中在多个存储器单元位置(130)处字线(110)与位线(120)交叉，并且在存储器单元位置(130)处放置存储器单元(150)。
2.根据权利要求1所述的MRAM存储器阵列(100)，其中字线(110)包括：
多个端对端连接并且彼此成角度设置的腿部(112，114，116，118)。
3.根据权利要求2所述的MRAM存储器阵列(100)，其中每个腿部(112，114，116，118)与相邻的腿部(112，114，116，118)大致正交。
4.根据权利要求2所述的MRAM存储器阵列(100)，其中每个腿部(112，114，116，118)与相邻的腿部(112，114，116，118)以锐角相对。
5.根据权利要求2所述的MRAM存储器阵列(100)，其中字线(110)的交错的腿部(112，114，116，118)在存储器单元位置(130)处与位线(120)部分基本共存。
6.根据权利要求1所述的MRAM存储器阵列(100)，其中字线(110)部分在存储器单元位置(130)处与位线(120)部分基本共存。
7.根据权利要求6所述的MRAM存储器阵列(100)，其中字线(110)部分在存储器单元位置(130)处与位线(120)部分平行。
8.根据权利要求1所述的MRAM存储器阵列(100)，其中每个存储器单元(150)在第二方向(y)上产生横向磁场。
9.根据权利要求8所述的MRAM存储器阵列(100)，其中每个存储器单元(150)包括：
横向取向的磁性层(162)，产生横向磁场；
数据存储层(152)，具有易磁化轴(164)；
被钉扎层(156)，其中横向磁场横过易磁化轴(164)。
10.根据权利要求1所述的MRAM存储器阵列(100)，其中字线(110)设置来接收字电流，并且位线(120)设置来接收位电流，在存储器单元位置(130)处将字电流设置为与位电流成小于45度的角度。
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