[发明专利]半导体膜、半导体器件和它们的生产方法

权利要求书

1.一种制造非晶半导体膜的方法，包括：

将包括硅烷、稀有气体和氢的起始气体引入膜形成室中；

产生所述起始气体的等离子体；以及

用所述等离子体形成包括1×10¹⁸/cm³-1×10²²/cm³浓度的稀有气体元素的非晶半导体膜。

2.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中在产生等离子体的过程中，膜形成室中的压力是2.666Pa到133.3Pa。

3.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中氢对稀有气体的流速控制在从0.2到5。

4.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中用于产生等离子体的RF功率密度是0.0017W/cm²到1W/cm²。

5.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中稀有气体元素是选自He、Ne、Ar、Kr和Xe的一种或多种。

6.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中硅烷是甲硅烷。

7.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中硅烷是甲硅烷，引入到膜形成室中的甲硅烷对稀有气体的流速控制在0.1∶99.9到1∶9。

8.根据权利要求1制造非晶半导体膜的方法，其中硅烷是甲硅烷，引入到膜形成室中的甲硅烷相对于稀有气体的流速控制在1∶99-5∶95。

9.一种包括硅的非晶半导体膜，其中所述非晶半导体包含1×10¹⁸/cm³-1×20²⁰/cm³浓度的稀有气体元素，和1×10¹⁵/cm³-1×10¹⁷/cm³浓度的氟。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在绝缘表面上形成第一非晶半导体膜；

向第一非晶半导体膜中添加金属元素；

通过晶化第一非晶半导体膜形成第二结晶半导体膜；

在第二结晶半导体膜的表面上形成阻挡层；

通过等离子体CVD法在阻挡层上形成包括稀有气体元素的第三半导体膜；

通过将金属元素吸取到第三半导体膜除去或减少第二结晶半导体膜中的金属元素；以及

除去第三半导体膜，

其中第三半导体膜由通过向膜形成室中引入硅烷、稀有气体和氢作为起始气体产生等离子体的等离子体CVD法形成。

11.根据权利要求10制造半导体器件的方法，其中金属元素是选自Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au的一种或几种。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成栅电极；

在栅电极上形成栅绝缘膜；

引入包括硅烷、稀有气体和氢的起始气体；

产生起始气体的等离子体；

形成包括1×10¹⁸/cm³-1×10²²/cm³浓度的稀有气体元素的非晶半导体膜；以及

对非晶半导体膜形成图形。

13.根据权利要求12形成半导体器件的方法，其中产生等离子体时，膜形成室中的压力是2.666Pa-133.3Pa。

14.根据权利要求12制造半导体器件的方法，其中氢对稀有气体的流速控制在0.2-5。

15.根据权利要求12制造半导体器件的方法，其中用于产生等离子体的RF功率密度是0.0017W/cm²-1W/cm²。

16.根据权利要求12制造半导体器件的方法，其中稀有气体元素是选自He、Ne、Ar、Kr和Xe的一种或多种。

17.根据权利要求12制造非晶半导体膜的方法，其中硅烷是甲硅烷。

18.根据权利要求12制造非晶半导体膜的方法，其中硅烷是甲硅烷，引入到膜形成室中的甲硅烷对稀有气体的流速控制在0.1∶99.9-1∶9。