[发明专利]热处理设备和用于热处理的方法有效

专利信息
申请号: 02121625.8 申请日: 2002-05-31
公开(公告)号: CN1389898A 公开(公告)日: 2003-01-08
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/324
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 热处理 设备 用于 方法
【权利要求书】:

1.一种用于加热衬底的热处理设备,使用被气体加热单元加热的气体作为加热源,包括:

用于进行热处理的n段(n>2)处理室,每个都具有气体加热单元;

预热室;和

冷却室,

其中气体供应单元被连接到冷却室的充气口,冷却室的排气口通过热交换器被连接到第一气体加热单元,第m(1≤m≤(n-1))处理室的充气口被连接到第m气体加热单元的排气口,第n处理室的充气口被连接到第n气体加热单元的排气口,第n处理室的排气口被连接到热交换器,并且热交换器的排气口被连接到预热室的充气口。

2.依照权利要求1的热处理设备,其中所述气体为氮气或稀有气体。

3.依照权利要求1的热处理设备,其中所述气体为还原性气体。

4.依照权利要求1的热处理设备,其中所述气体为氧化性气体。

5.依照权利要求1的热处理设备,其中所述处理室由石英或陶瓷形成。

6.一种用于热处理的方法,包括步骤:

通过使用被加热单元加热的气体作为加热源加热衬底,

其中所述热处理通过使用热处理设备来进行,所述热处理设备包括n段的(n>2)处理室,每个处理室都具有加热单元、预热室和冷却室,由第m(1≤m≤(n-1))加热单元加热的气体由n段(n>2)的处理室和气体加热单元供应给第m处理室,供应给第m处理室的气体由第(m+1)加热单元加热并供应给第(m+1)处理室,安排在n段处理室的衬底被加热,供应给第n处理室的气体被供应给热交换器,从气体供应单元供应的气体被作为用于加热的加热源,从气体供应单元供应的气体被供应给冷却室,从冷却室排出的气体通过热交换器供应给第一气体加热单元,并且从热交换器排出的气体供应给预热室。

7.依照权利要求6的用于热处理的方法,其中氮气或稀有气体被用于所述气体。

8.依照权利要求6的用于热处理的方法,其中还原性气体被用于所述气体。

9.依照权利要求6的用于热处理的方法,其中氧化性气体被用于所述气体。

10.一种热处理设备,包括:

用于进行热处理的n段(n>2)的处理室;

预热室;和

冷却室,

其中气体供应单元被连接到冷却室的充气口,冷却室的排气口通过热交换器被连接到第一气体加热单元,第m(1≤m≤(n-1))处理室的充气口被连接到第m气体加热单元的排气口,第n处理室的充气口被连接到第n气体加热单元的排气口,第n处理室的排气口被连接到热交换器,并且热交换器的排气口被连接到预热室的充气口。

11.依照权利要求10的热处理设备,其中氮气或稀有气体被用于所述气体。

12.依照权利要求10的热处理设备,其中还原性气体被用于所述气体。

13.依照权利要求10的热处理设备,其中氧化性气体被用于所述气体。

14.依照权利要求10的热处理设备,其中所述处理室由石英或陶瓷形成。

15.一种热处理设备,包括:

n段(n>2)的处理室;和

n段(n>2)的气体加热单元,

其中第m(1≤m≤(n-1))处理室的充气口被连接到第m气体加热单元的排气口,第n处理室的充气口被连接到第n气体加热单元的排气口,并且第n处理室的排气口被连接到热交换器。

16.依照权利要求15的热处理设备,其中氮气或稀有气体被用于所述气体。

17.依照权利要求15的热处理设备,其中还原性气体被用于所述气体。

18.依照权利要求15的热处理设备,其中氧化性气体被用于所述气体。

19.依照权利要求15的热处理设备,其中所述处理室由石英或陶瓷形成。

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