[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02121802.1 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1383215A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 须田康夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L27/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一半导体器件，该器件通过切割粘合在隔离体上的第一衬底和第二衬底而形成，其中：
隔离体位于切割后的第一衬底的一端；
第二衬底是和一个或多个光接收元件形成的半导体晶片；
第一衬底具有将光线会聚在上述光接收元件上的一光学元件或一光学元件组。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一衬底具有含有多个透镜的复眼光学元件。
3.一种半导体器件制造方法，包括：
将第一衬底和第二衬底通过隔离体粘合在一起的步骤；
对第一和第二衬底进行切割的步骤，
其中，上述切割第一衬底的步骤中，在隔离体位于第一衬底的下面的位置对第一衬底进行切割。
4.根据权利要求3的半导体器件制造方法，其中，第二衬底形成有光接收元件。
5.根据权利要求3的半导体器件制造方法，其中，第一衬底形成有多个透镜。
6.一种半导体器件制造方法，包括：
在去除翘曲的条件下将半导体衬底保持在基底上的步骤；
用根据半导体衬底的翘曲而调整的尺寸将相对衬底粘合到半导体衬底上的步骤；然后
对相对衬底进行切割的步骤。
7.根据权利要求6的半导体器件制造方法，包括：将多个相对衬底粘合到半导体衬底上的步骤，该多个相对衬底的间隙相应于半导体衬底翘曲的尺寸。
8.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，所述将相对衬底粘合到半导体衬底上的步骤使用了隔离体，该隔离体位于相对衬底和半导体衬底之间。
9.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，所述对相对衬底进行切割的步骤对隔离体位于相对衬底的下面的相对衬底的区域进行切割。
10.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，半导体衬底形成有一个或多个光接收元件，相对衬底形成有用于将光线会聚在该光接收元件上的光学元件或光学元件组。
11.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，相对衬底形成有含有多个透镜的复眼元件。
12.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，半导体衬底是半导体晶片。
13.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，其中，相对衬底具有矩形、十字形、T字形、I字形、L形或多边形形状。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
