[发明专利]显像装置的环境控制装置及其环境控制方法

权利要求书

1、一种显像装置的环境控制装置，是在晶片处理室中对曝光了的抗蚀剂膜使用显像液进行显像的显像装置的环境控制装置，其备有把从外部取来的空气供给所述晶片处理室的空气供给装置，以及在所述空气供给装置中设置的从所述空气中除去化学污染物质的化学污染物质除去装置。

2、如权利要求1所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质是含硫的杂质。

3、如权利要求1所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是碱性水溶液。

4、如权利要求1所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是四甲基氢氧化铵水溶液。

5、如权利要求4所述的显像装置的环境控制装置，所述四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在2.38重量％以下，所述化学污染物质除去装置把所述含硫杂质除去，使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.5μg/m³以下。

6、如权利要求4所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质除去装置把所述含硫杂质除去，使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.4μg/m³以下。

7、如权利要求4所述的显像装置的环境控制装置，所述化学污染物质除去装置具有控制所述空气中的所述含硫杂质浓度的装置。

8、一种显像装置的环境控制方法，是在晶片处理室中对曝光了的抗蚀剂膜使用显像液进行显像的显像装置的环境控制方法，其备有把从外部取来的空气供给所述晶片处理室的空气供给工序，以及从所述空气中除去化学污染物质的化学污染物质除去工序。

9、如权利要求8所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质是含硫的杂质。

10、如权利要求8所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是碱性水溶液。

11、如权利要求8所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质是含硫杂质，所述显像液是四甲基氢氧化铵水溶液。

12、如权利要求11所述的显像装置的环境控制方法，所述四甲基氢氧化铵水溶液的浓度在2.38重量％以下，所述化学污染物质除去工序包括把所述含硫杂质除去使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.5μg/m³以下的工序。

13、如权利要求11所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质除去工序包括把所述含硫杂质除去使所述空气中的所述含硫杂质的浓度为0.4μg/m³以下的工序。

14、如权利要求11所述的显像装置的环境控制方法，所述化学污染物质除去工序包括控制所述空气中的所述含硫杂质浓度的工序。