[发明专利]半导体装置、互补型半导体装置

权利要求书

1.半导体装置，其特征在于，该半导体装置是由包含Si结晶层形成的沟道区，和在上述沟道区上形成的，在上述Si结晶层上形成的SiO层，和在上述SiO层上形成的第1 SiN层，和在上述第1 SiN层上形成的高介电体金属氧化物层，和在上述高介电体金属氧化物层上形成的第2 SiN层的栅绝缘膜，

和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极形成的。

2.权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，上述SiO层包含均匀覆盖上述Si基板表面的氧原子层。

3.权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于，上述第1 SiN层包含均匀覆盖上述SiO层表面的氮原子层。

4.权利要求1～3中任意一项中记载的半导体装置，其特征在于，上述高介电体金属氧化物层的表面是由氧原子形成的氧原子层均匀覆盖的表面。

5.权利要求1～4中任意一项中记载的半导体装置，其特征在于，在上述第2 SiN层中，上述氮原子层包含均匀覆盖上述高介电体金属氧化物层的氮原子层。

6.权利要求5中记载的半导体装置，其特征在于在，上述第2SiN层中，上述氮原子层中的氮原子，是与主要覆盖上述高介电体金属氧化物层表面的氧原子层中的氧原子连接的。

7.权利要求1～6中任意一项中记载的半导体装置，其特征在于上述高介电体金属氧化物层具有1原子层的氧原子形成的氧原子层和1原子层金属原子形成的金属原子层相互交替的结构。

8.半导体装置，是由Si基板，和在上述Si基板上形成的栅绝缘膜，和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极构成的半导体装置，其特征在于，上述栅绝缘膜是由与各Si基板表面的Si原子连接的氧原子形成的氧原子层，和与各上述氧原子层中的氧原子连接的Si原子形成的Si原子层，和与各上述Si原子层中的Si原子连接的氮原子形成的氮原子层，和与各上述氮原子层中的氮原子连接的Si原子形成的第1绝缘膜，

和包含与各上述Si原子层中的Si原子连接的氧原子形成的氧原子层，和与各上述氧原子层中的氧原子连接的金属原子形成的金属原子层，和与各上述金属原子层中的金属原子连接的氧原子形成的氧原子层的，具有在最上部与金属原子层中的金属原子连接的氧原子形成的最上部氧原子层的第2绝缘膜，和

与各上述最上部氧原子层中的氧原子连接的Si原子形成的，覆盖上述最上部氧原子层的Si原子层，和与覆盖各上述最上部氧原子层的上述Si原子层中的Si原子连接的氮原子形成的氮原子层形成的第3绝缘膜构成的。

9.互补型半导体装置，是具有由第1导电型第1元件区和第2导电型的第2元件区通过元件隔离区组成的基板，和

在上述基板上的上述第1区中形成的第1栅绝缘膜和，

在上述基板上的上述第2区中形成的第2栅绝缘膜和，

在上述第1栅绝缘膜上形成的第1栅电极和，

在上述第2栅绝缘膜上形成的第2栅电极的互补型半导体装置。

其特征在于，上述第1和第2栅绝缘膜是由

与各Si基板表面的Si原子连接的氧原子形成的氧原子层，和与各上述氧原子层中的氧原子连接的Si原子形成的Si原子层，和与各上述Si原子层中的Si连接的氮原子形成的氮原子层，和与各上述氮原子层中的氮原子连接的Si原子形成的第1绝缘膜，

和包含与各上述Si原子层中的Si原子连接的氧原子形成的氧原子层，和与各上述氧原子层中的氧原子连接的金属原子形成的金属原子层，和与各上述金属原子层中的金属原子连接的氧原子形成的氧原子层的，具有在最上部与金属原子层中的金属原子连接的氧原子形成的最上部氧原子层的第2绝缘膜，和

与各上述最上部氧原子层中氧原子连接的Si原子形成的覆盖上述最上部氧原子层的Si原子层，和与覆盖各上述最上部氧原子层的上述Si原子层中Si原子连接的氮原子形成的氮原子层形成的第3绝缘膜构成的。