[发明专利]铱－钽－氧化物电极的等离子体腐蚀方法及腐蚀后的清洗方法

权利要求书

1.一种在集成电路中形成电极的方法，包括：

制备基于硅的衬底，包括衬底上形成半导体结构以形成集成衬底结构；

在衬底结构上淀积一层电极材料；以及

构图电极材料层形成电极部件，其中所述构图包括在含有氟成分的腐蚀气体气氛中的等离子体反应室中等离子体腐蚀电极材料层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述淀积包括淀积一层Ir-Ta-O电极材料层。

3.根据权利要求1的方法，其中所述制备包括形成铁电半导体结构。

4.根据权利要求1的方法，其中所述构图包括制备具有氟成分、氧气成分和惰性气体成分的腐蚀气体。

5.根据权利要求1的方法，其中所述腐蚀包括从由CF₄、CHF₃、C₂F₆、SF₆和NF₃组成的族中选择氟腐蚀气体成分。

6.根据权利要求1的方法，其中所述腐蚀包括制备CF₄/O₂/Ar的腐蚀气体混合物，并以包括CF₄为约30sccm、O₂为约5sccm、Ar为约25sccm的约60sccm的流速输送混合物，室温下，工艺压力约6mTorr，微波功率约600W，衬底的RF偏置功率约200W。

7.根据权利要求1的方法，还包括在约80℃的去离子水槽中清洗衬底结构和电极部件在约20分钟和100分钟之间。

8.根据权利要求1的方法，其中所述腐蚀包括制备含有氟成分的腐蚀气体，并以约20sccm到100sccm范围内的流速输送混合物，工艺压力在约5mTorr到50mTorr的范围内，微波功率在约300W到1000W的范围内，衬底的RF偏置功率在约50W到1000W的范围内，温度在约-50℃到200℃的范围内。

9.一种在集成电路中形成电极的方法，包括：

制备基于硅的衬底，包括衬底上形成半导体结构以形成集成衬底结构；

在衬底结构上淀积一层电极材料；

构图电极材料层形成电极部件，其中所述构图包括在含有氟成分的腐蚀气体气氛中的等离子体反应室中等离子体腐蚀电极材料层；以及

在约80℃的去离子水槽中清洗衬底结构和电极部件在约20分钟和100分钟之间。

10.根据权利要求9的方法，其中所述淀积包括淀积一层Ir-Ta-O电极材料层。

11.根据权利要求9的方法，其中所述制备包括形成铁电半导体结构。

12.根据权利要求9的方法，其中所述构图包括制备具有氟成分、氧气成分和惰性气体成分的腐蚀气体。

13.根据权利要求9的方法，其中所述腐蚀包括从由CF₄、CHF₃、C₂F₆、SF₆和NF₃组成的族中选择氟腐蚀气体成分。

14.根据权利要求9的方法，其中所述腐蚀包括制备CF₄/O₂/Ar的腐蚀气体混合物，并以包括CF₄为约30sccm、O₂为约5sccm、Ar为约25sccm的约60sccm的流速输送混合物，室温下，工艺压力约6mTorr，微波功率约600W，衬底的RF偏置功率约200W。

15.根据权利要求9的方法，其中所述腐蚀包括制备含有氟成分的腐蚀气体，并以约20sccm到100sccm范围内的流速输送混合物，工艺压力在约5mTorr到50mTorr的范围内，微波功率在约300W到1000W的范围内，衬底的RF偏置功率在约50W到1000W的范围内，温度在约-50℃到200℃的范围内。