[发明专利]压电陶瓷组合物、压电陶瓷元件及压电陶瓷组合物的制造方法

权利要求书

1.压电陶瓷组合物，以具有主要由Na、Li、Nb及O元素构成的钙钛矿结构的化合物为主成分，其特征在于，所述主成分的结晶系与原来在室温下稳定的结晶系不同，原来在比室温高的温度区稳定的结晶系在室温下处于准稳定状态。

2.如权利要求1所述的压电陶瓷组合物，其特征还在于，所述原来在室温下稳定的结晶系为菱形晶系，所述原来在比室温高的温度区稳定的结晶系为单斜晶系。

3.如权利要求1所述的压电陶瓷组合物，其特征还在于，所述构成主成分的化合物由(Na_1-xLi_x)NbO₃表示，式中0.02≤x≤0.30。

4.如权利要求3所述的压电陶瓷组合物，其特征还在于，所述构成主成分的化合物由(Na_1-xLi_x)NbO₃表示，式中0.08≤x≤0.18。

5.如权利要求1所述的压电陶瓷组合物，其特征还在于，所述构成主成分的化合物由式(1-n)[(Na_1-xLi_x)_1-yK_y](Nb_1-zTa_z)O₃-nM1M2O₃表示，式中，0.02≤x≤0.30，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2，0≤n≤0.1，M1为2价金属元素，M2为4价金属元素。

6.如权利要求5所述的压电陶瓷组合物，其特征还在于，所述M1为选自Mg、Ca、Sr及Ba的至少一种，所述M2为选自Ti、Zr、Sn及Hf的至少一种。

7.压电陶瓷元件，其特征在于，包含权利要求1所述的压电陶瓷组合物形成的压电陶瓷和形成于所述压电陶瓷的电极。

8.权利要求1所述的压电陶瓷组合物的制造方法，其特征在于，在对所述压电陶瓷组合物进行极化处理后，在所述结晶系处于稳定状态的温度或高于该温度、但低于构成所述主成分的化合物失去强介电性的温度的温度下，对所述压电陶瓷组合物进行加热。

9.如权利要求8所述的压电陶瓷组合物的制造方法，其特征还在于，对所述压电陶瓷组合物进行加热的温度在250℃～400℃的范围内。