[发明专利]总线及I/O焊垫的可程序化为四个状态的内联机元件有效
申请号: | 02122106.5 | 申请日: | 2002-05-30 |
公开(公告)号: | CN1389875A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 孙骏恭;许志铭;罗英哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C11/40;H01L27/115;H03K19/177 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 总线 程序 化为 四个 状态 联机 元件 | ||
1.一种可程序切换器,用于一可设定的集成电路,其特征为:该可程序切换器包括:
一第一节点与一第二节点,其中该第一节点与一总线之间可互通讯号,且该第二节点与该集成电路的一电路单元耦接;以及
一非挥发性可程序化晶体管,其具有一漏极、一源极、一栅极与一数据储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点之一耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该数据储存结构至少可储存四种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下允许讯号由该总线至该电路单元作单向传送,在一第二状态下允许讯号由该电路单元至该总线作单向传送,在一第三状态下允许讯号在该电路单元与该总线之间作双向传送,且在一第四状态下使该电路单元与该总线之间具有高阻抗。
2.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:该数据储存结构包括一埋入复数层绝缘层之间的氮化硅层。
3.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时产生一提升电压。
4.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时提供一提升电压至该供能导体上,该提升电压与该电路单元的电源电位相较下,至少要高出一个该非挥发性可程序化晶体管的临界电压。
5.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:该第一节点经由一被动导体连接至该总线。
6.一种可程序切换器,用于一可设定的集成电路,其特征为:该可程序切换器包括:
一第一节点与一第二节点,其中该第一节点与一输入/输出焊垫之间可互通讯号,且该第二节点与该集成电路的一电路单元耦接;以及
一非挥发性可程序化晶体管,其具有一漏极、一源极、一栅极与一数据储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点之一耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该数据储存结构至少可储存四种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下允许讯号由该输入/输出焊垫至该电路单元作单向传送,在一第二状态下允许讯号由该电路单元至该输入/输出焊垫作单向传送,在一第三状态下允许讯号在该电路单元与该输入/输出焊垫之间作双向传送,且在一第四状态下使该电路单元与该输入/输出焊垫之间具有高阻抗。
7.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:该数据储存结构包括一埋入复数层绝缘层之间的氮化硅层。
8.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时产生一提升电压。
9.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时提供一提升电压至该供能导体上,该提升电压与该电路单元的电源电位相较下,至少要高出一个该非挥发性可程序化晶体管的临界电压。
10.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:该第一节点经由一被动导体连接至该输入/输出焊垫。
11.一种集成电路,其特征为:包括:一总线,其包括复数条总线;一可程序切换器,包括:
一第一节点与一第二节点,其中该第一节点与该些总线中的一条总线之间可互通讯号,且该第二节点与该集成电路的一电路单元耦接;以及
一非挥发性电荷可程序化元件,其具有一漏极、一源极、一栅极与一数据储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点之一耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该数据储存结构至少可储存四种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下允许讯号由该总线至该电路单元作单向传送,在一第二状态下允许讯号由该电路单元至该总线作单向传送,在一第三状态下允许讯号在该电路单元与该总线之间作双向传送,且在一第四状态下使该电路单元与该总线之间具有高阻抗;及一程序化电路系统,其耦接至该可程序切换器的该第一及第二节点和该供能导体,以施加足够的电压将电子注入或排出该电荷储存结构,从而程序化该电荷可程序化元件为该四种状态。
12.如权利要求11所述的集成电路,其特征为:该数据储存结构包括一埋入复数层绝缘层之间的氮化硅层。
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