[发明专利]总线及I/O焊垫的可程序化为四个状态的内联机元件有效

专利信息
申请号: 02122106.5 申请日: 2002-05-30
公开(公告)号: CN1389875A 公开(公告)日: 2003-01-08
发明(设计)人: 孙骏恭;许志铭;罗英哲 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C11/40;H01L27/115;H03K19/177
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 总线 程序 化为 四个 状态 联机 元件
【权利要求书】:

1.一种可程序切换器,用于一可设定的集成电路,其特征为:该可程序切换器包括:

一第一节点与一第二节点,其中该第一节点与一总线之间可互通讯号,且该第二节点与该集成电路的一电路单元耦接;以及

一非挥发性可程序化晶体管,其具有一漏极、一源极、一栅极与一数据储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点之一耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该数据储存结构至少可储存四种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下允许讯号由该总线至该电路单元作单向传送,在一第二状态下允许讯号由该电路单元至该总线作单向传送,在一第三状态下允许讯号在该电路单元与该总线之间作双向传送,且在一第四状态下使该电路单元与该总线之间具有高阻抗。

2.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:该数据储存结构包括一埋入复数层绝缘层之间的氮化硅层。

3.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时产生一提升电压。

4.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时提供一提升电压至该供能导体上,该提升电压与该电路单元的电源电位相较下,至少要高出一个该非挥发性可程序化晶体管的临界电压。

5.如权利要求1所述的可程序切换器,其特征为:该第一节点经由一被动导体连接至该总线。

6.一种可程序切换器,用于一可设定的集成电路,其特征为:该可程序切换器包括:

一第一节点与一第二节点,其中该第一节点与一输入/输出焊垫之间可互通讯号,且该第二节点与该集成电路的一电路单元耦接;以及

一非挥发性可程序化晶体管,其具有一漏极、一源极、一栅极与一数据储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点之一耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该数据储存结构至少可储存四种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下允许讯号由该输入/输出焊垫至该电路单元作单向传送,在一第二状态下允许讯号由该电路单元至该输入/输出焊垫作单向传送,在一第三状态下允许讯号在该电路单元与该输入/输出焊垫之间作双向传送,且在一第四状态下使该电路单元与该输入/输出焊垫之间具有高阻抗。

7.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:该数据储存结构包括一埋入复数层绝缘层之间的氮化硅层。

8.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时产生一提升电压。

9.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:还包括一耦接至该供能导体的充电泵,该充电泵用以在该集成电路进行逻辑操作时提供一提升电压至该供能导体上,该提升电压与该电路单元的电源电位相较下,至少要高出一个该非挥发性可程序化晶体管的临界电压。

10.如权利要求6所述的可程序切换器,其特征为:该第一节点经由一被动导体连接至该输入/输出焊垫。

11.一种集成电路,其特征为:包括:一总线,其包括复数条总线;一可程序切换器,包括:

一第一节点与一第二节点,其中该第一节点与该些总线中的一条总线之间可互通讯号,且该第二节点与该集成电路的一电路单元耦接;以及

一非挥发性电荷可程序化元件,其具有一漏极、一源极、一栅极与一数据储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点之一耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该数据储存结构至少可储存四种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下允许讯号由该总线至该电路单元作单向传送,在一第二状态下允许讯号由该电路单元至该总线作单向传送,在一第三状态下允许讯号在该电路单元与该总线之间作双向传送,且在一第四状态下使该电路单元与该总线之间具有高阻抗;及一程序化电路系统,其耦接至该可程序切换器的该第一及第二节点和该供能导体,以施加足够的电压将电子注入或排出该电荷储存结构,从而程序化该电荷可程序化元件为该四种状态。

12.如权利要求11所述的集成电路,其特征为:该数据储存结构包括一埋入复数层绝缘层之间的氮化硅层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02122106.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top