[发明专利]制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法

权利要求书

1、一种制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法，包括：

在衬底上形成第一和第二半导体层；

在第一和第二半导体层上淀积绝缘材料；

在绝缘材料上淀积金属；

在金属上形成第一光刻胶图形，该第一光刻胶图形正好在第一和第二半导体上；

通过刻蚀金属，分别在第一和第二半导体层上形成第一和第二栅极，第一和第二栅极比第一光刻胶图形窄；

通过刻蚀绝缘材料，分别在第一和第二半导体层上形成第一和第二绝缘体图形，第一和第二绝缘体图形具有与第一光刻胶图形相等的宽度；

采用第一光刻胶图形作为第一掺杂掩模，掺杂n+离子；

灰化第一光刻胶图形，由此第一光刻胶图形变成减小的第一光刻胶图形，该减小的第一光刻胶图形具有与第一和第二栅极相同的宽度；

用该减小的第一光刻胶图形作为刻蚀掩模，刻蚀第一和第二绝缘体图形；

用该减小的第一光刻胶图形作为第二掺杂掩模，掺杂n^-离子；

在掺杂n^-离子之后去掉减小的第一光刻胶图形；

形成覆盖第一栅极和第一半导体层的第二光刻胶图形；

用第二光刻胶图形和第二栅极作为第三掺杂掩模，掺杂p⁺离子；和

掺杂p⁺离子之后去掉第二光刻胶图形。

2、根据权利要求1的方法，其中p⁺离子的剂量大于n⁺离子的剂量。

3、根据权利要求2的方法，其中p⁺离子的剂量约为3×10¹⁵/cm²到4×10¹⁵/cm²。

4、根据权利要求3的方法，其中n⁺离子的剂量约为1×10¹⁵/cm²到2×10¹⁵/cm²。

5、根据权利要求4的方法，其中n^-离子的剂量约为10¹³/cm²。

6、根据权利要求1的方法，其中在掺杂之后，第一半导体层包括有源层、n⁺源区和漏区、和在有源层和n⁺源区之间或在有源层和n⁺漏区之间的轻掺杂漏区。

7、根据权利要求1的方法，其中在掺杂之后，第二半导体层包括有源层、p⁺源区和漏区。

8、根据权利要求1的方法，其中第一和第二半导体层是由SLS晶体硅构成的。

9、一种制造具有驱动集成电路的阵列衬底的方法，包括：

在衬底上形成第一和第二半导体层；

在第一和第二半导体层上淀积绝缘材料；

在绝缘材料上淀积金属；

在金属上形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形正好在第一和第二半导体上；

通过刻蚀金属，分别在第一和第二半导体层上形成第一和第二栅极，第一和第二栅极比第一光刻胶图形窄；

采用第一光刻胶图形作为第一掺杂掩模，掺杂n⁺离子；

去掉第一光刻胶图形；

用第一和第二栅极作为第二掺杂掩模，掺杂n^-离子；

形成覆盖第一栅极和第一半导体层的第二光刻胶图形；

用第二光刻胶图形和第二栅极作为第三掺杂掩模，掺杂p⁺离子；和

掺杂p⁺离子之后去掉第二光刻胶图形。

10、根据权利要求9的方法，其中p⁺离子的剂量大于n⁺离子的剂量。

11、根据权利要求10的方法，其中p⁺离子的剂量约为3×10¹⁵/cm²到4×10¹⁵/cm²。