[发明专利]读出放大电路

权利要求书

1.一种读出放大电路，它用以检索从存储器件中读出的数据，其中：

包括：对应于位线对的电位变化而放大输出节点对的电位的锁存器和为切断从上述输出节点对到上述位线对的电位反馈的位线分离电路；以组成上述锁存器的至少2个MOS晶体管的各自栅电极或者源电极不经过位线分离电路而直接连接在上述位线对上。

2.根据权利要求第1项所述的读出放大电路，其中：

上述位线分离电路包括，介于上述位线对和上述锁存器之间的MOS晶体管对，上述锁存器包括，当上述位线对被预充电到电源电压时，具有NMOS导电型，当上述位线对被预充电到接地电压时，具有PMOS导电型的锁存晶体管对，上述各个锁存晶体管对由2个串联晶体管组成，上述锁存晶体管对中的一对串联晶体管，其各个栅电极不经过上述位线分离电路而直接与上述位线对交叉耦合，同时，另一对串联晶体管中的每一个栅电极与上述输出节点对交叉耦合。

3.根据权利要求第2项所述的读出放大电路，其中：

在组成上述各个锁存晶体管对的2个串联晶体管的中间节点上，各自接了1个附加晶体管；上述各个附加晶体管的激活迟于上述锁存晶体管对的激活。

4.根据权利要求第1项所述的读出放大电路，其中：

上述位线分离电路包括，各自由2个串联晶体管组成的MOS晶体管对；组成上述位线分离电路的MOS晶体管对中的1对串联晶体管的各个栅电极接在上述位线对上，且另1对串联晶体管的各个栅电极接在表示切断时刻的控制信号上。

5.根据权利要求第4项所述的读出放大电路，其中：

上述锁存器包括，当上述位线对被预充电到电源电压时具有PMOS导电型；当上述位线对被预充电到接地电压时具有NMOS导电型的晶体管对；上述锁存晶体管对的各个源电极不经过上述位线分离电路而直接与上述位线对交叉耦合，同时上述锁存晶体管对的各个栅电极交叉耦合在上述输出节点对上。

6.根据权利要求第1项所述的读出放大电路，其中：

还包括，对应上述输出节点对的电位变化来放大第二级输出节点对的电位差的第一差动放大器；构成上述第1差动放大器，做到：具有在输出节点对的预充电电平切断的导电型的MOS晶体管对的各个栅电极接收被预充电到实际上和上述节点对的预充电电位相等的电平的上述输出节点对的电位，且放大被预充电到与这个输出节点对的预充电电平相反的电位的第二级输出节点对的电位差。

7.根据权利要求第6项所述的读出放大电路，其中：

还包括，对应第2级输出节点对的电位变化，放大第3级输出节点对的电位差的第2差动放大器；构成上述第2差动放大器，做到：具有在输出节点对的预充电电平切断的导电型的MOS晶体管对的各个栅电极接收上述第2级输出节点对的电位，且放大被预充电到其电位和第2级输出节点对的预充电电平相反的上述第3级输出节点对的电位差。

8.根据权利要求第6项所述的读出放大电路，其中：

还包括，对应于上述第2级输出节点对的电位变化放大第3级输出节点对的电位差的第2差动放大器；构成上述第2差动放大器，做到：具有在输出节点对的预充电电平切断的导电型的MOS晶体管对的各个栅电极和与这个第2级输出节点对交叉耦合的源电极来接收被预充电到实际上和上述节点对的预充电电位相等的电平的上述输出节点对的电位，且放大被预充电到与这个第2级输出节点对的预充电电平相反的电位的第3级输出节点对的电位差。