[发明专利]在空穴传递层和/或电子传递层中含有色中性掺杂剂的有机发光器件有效
申请号: | 02122420.X | 申请日: | 2002-06-06 |
公开(公告)号: | CN1389934A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | T·K·哈特瓦尔;R·H·杨 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王景朝,王其灏 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空穴 传递 电子 层中含 有色 中性 掺杂 有机 发光 器件 | ||
1.一种有机发光器件,其包括:
a)基材;
b)相对于基材布置的阳极和阴极;
c)位于阳极和阴极之间的发射层;
d)位于阳极和发射层之间的空穴传递层;
e)位于阴极和发射层之间的电子传递层;
f)包括至少两个次层的空穴传递层,最接近于发射层的次层包含色中性掺杂剂,和至少一个次层不包含色中性掺杂剂;和
g)包括蒽衍生物的色中性掺杂剂。
2.权利要求1的器件,进一步包括位于阳极和空穴传递层之间的空穴注入层。
3.权利要求1的器件,其中最接近于阳极的次层的厚度为2-200nm和最接近于发射层的次层的厚度为2-200nm。
4.权利要求1的器件,其中空穴传递层的每个次层包括叔芳族胺。
5.权利要求1的器件,其中色中性掺杂剂包括ADN或TBADN。
6.权利要求1的器件,其中色中性掺杂剂构成0.1-25体积%的空穴传递层的每个次层,该次层中存在有色中性掺杂剂。
7.权利要求1的器件,其中发射层包括Alq,Gaq,Inq或Mgq。
8.权利要求1的器件,其中发射层包括ADN或TBADN。
9.一种有机发光器件,其包括:
a)基材;
b)相对于基材布置的阳极和阴极;
c)位于阳极和阴极之间的发射层;
d)位于阳极和发射层之间的空穴传递层;
e)位于阴极和发射层之间的电子传递层;
f)包括一个或多个次层的电子传递层,至少一个次层包含色中性掺杂剂;和
g)包括蒽衍生物的色中性掺杂剂。
10.一种有机发光器件,其包括:
a)基材;
b)相对于基材布置的阳极和阴极;
c)位于阳极和阴极之间的发射层;
d)位于阳极和发射层之间的空穴传递层;
e)位于阴极和发射层之间的电子传递层;
f)包括一个或多个次层的电子传递层,至少一个次层包含色中性掺杂剂;
g)包括一个或多个次层的空穴传递层,至少一个次层包含色中性掺杂剂;和
h)包括蒽衍生物的色中性掺杂剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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