[发明专利]制造原子分辨存储器件的光滑表面的结晶相变层的方法

权利要求书

1.一种制备数据存储介质(20)的方法，该方法包括：

在基片(60)上形成相变层(80)；

在相变层(80)上形成厚罩层(90)；

相变层(80)从第一相变为第二相；

去除厚罩层(90)；以及

在相变层(100)上形成薄罩层(110)。

2.权利要求1所述的方法，其中形成相变层(80)的步骤包括至少实行热蒸发、电子束蒸发、元素的共蒸发和射频(RF)溅射中的一种。

3.权利要求1所述的方法，其中形成厚罩层(90)的步骤包括至少实施射频(RF)溅射和电子束蒸发中的一种。

4.权利要求1所述的方法，其中去除步骤包括选择性地蚀刻厚罩层(90)。

5.权利要求1所述的方法，其中形成薄罩层(110)的步骤包括至少实施射频(RF)溅射和原子层沉积(ALD)之一。

6.一种数据存储介质(20)，该介质包括：

基片(60)；

位于基片(60)之上的相变层(100)；和

位于相变层(100)之上的薄罩层(110)，

其中相变层(100)的第一表面位于最接近薄罩层(110)的位置并且其中相变层(100)的第一表面具有小于2纳米的均方根(RMS)表面粗糙度。

7.权利要求6所述的数据存储介质(20)，其中相变层(100)包括结晶区。

8.权利要求7所述的数据存储介质(20)，其中相变层包括纳米尺度数据位(40)。

9.权利要求7所述的数据存储介质(20)，其中薄罩层(110)包括低原子密度的、耐用的材料。

10.权利要求7所述的数据存储介质(20)，其中第一表面具有小于0.4纳米的均方根表面粗糙度。