[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1、一种半导体存储器，包括：

具有若干存储单元的单元阵列；

被定义为所述单元阵列内沿第一方向排列的一组存储单元并且包括用于选择该组存储单元的第一选择线的若干第一标准元件；

被定义为所述单元阵列内沿第二方向排列的一组存储单元并且包括用于选择该组存储单元的第二选择线的若干第二标准元件，每个所述第二标准元件选择操作上与对应的一个所述第一标准元件相关的一个存储单元；

用于替换所述单元阵列内的缺陷第一标准元件的若干第一冗余元件；

用于替换所述单元阵列内的缺陷第二标准元件的若干第二冗余元件；

在所述单元阵列中，被定义为允许利用每个所述第一冗余元件替换的一组第一标准元件的第一修复区；和

在所述单元阵列中，被定义为允许利用每个所述第二冗余元件替换的一组第二标准元件的第二修复区，其中：

所述若干第一标准元件中的至少两个第一标准元件被同时激活，

相互独立地控制是否用所述第一冗余元件替换这样同时激活的至少两个第一标准元件，以及

修复包括所述同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区内的缺陷第二标准元件的至少一个所述第二冗余元件不和所述同时激活的至少两个第一标准元件中包含在所述第一修复区内的所述一个第一标准元件相交。

2、按照权利要求1所述的半导体存储器，其中，包括所述同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区内一个有缺陷的所述第二标准元件也可被与所述同时激活的至少两个第一标准元件中的所述一个第一标准元件相交的所述若干第二冗余元件之一替换。

3、按照权利要求1所述的半导体存储器，其中包括所述同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区和包括所述同时激活的至少两个第一元件中的另一元件的另一个所述第一修复区被布置成彼此相邻。

4、按照权利要求1所述的半导体存储器，其中，各包括至少三个同时激活的第一标准元件中的一个第一标准元件的至少三个第一修复区被连续地布置，其中

能够修复包括所述同时激活的至少三个第一标准元件之一的第一修复区之一中的缺陷第二标准元件的所述第二冗余元件与所述同时激活的至少三个第一标准元件中的其余第一标准元件相交。

5、按照权利要求3所述的半导体存储器，其中，一个选择电路被布置在相互邻近的所述第一修复区之间，用来选择第一标准元件。

6、按照权利要求4所述的半导体存储器，其中，选择电路被布置在连续地排列的所述第一修复区之间，用来选择第一标准元件。

7、按照权利要求1所述的半导体存储器，其中：

所述单元阵列包括彼此相邻的第一和第二存储器阵列，有一行译码器置于所述第一和第二存储器阵列之间；

所述行译码器以行地址响应方式同时激活所述第一和第二存储器阵列中的所述第一标准元件，从所述第一和第二存储器阵列中均选择至少一个所述第一标准元件；

所述若干第一冗余元件被布置成对应于所述第一和第二存储器阵列，以便至少逐一地属于所述第一和第二存储器阵列，所述若干第一冗余元件被独立地分别用于所述第一和第二存储器阵列内的缺陷第一标准元件替换；

所述若干第二冗余元件被布置成对应于所述第一和第二存储器阵列，以便至少逐一地属于所述第一和第二存储器阵列，同时与对应于每个所述第一和第二存储器阵列的所述第一冗余元件相交，并且被相互独立地用于所述第一和第二存储器阵列二者内的缺陷第二标准元件替换。