[发明专利]控制薄膜厚度以实现均匀膜厚的喷涂装置及方法无效
申请号: | 02122589.3 | 申请日: | 2002-06-14 |
公开(公告)号: | CN1392594A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 岛根誉 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;B05C5/00;B05C11/08;G03F7/16 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,方挺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 薄膜 厚度 实现 均匀 喷涂 装置 方法 | ||
1.一种喷涂装置,包括:喷涂单元,它根据至少一个喷涂条件通过旋转喷涂法将光刻胶喷涂到半导体晶片上;厚度测量单元,它用于对所述喷涂单元喷涂到半导体晶片上的光刻胶的薄膜厚度进行测量;以及控制单元,它用于控制所述喷涂单元,其特征在于:
根据所述喷涂单元发送的用于预定数目样品的至少一个喷涂条件的信息以及所述厚度测量单元发送的所述预定数目样品的薄膜厚度信息,所述控制单元描绘出近似曲线或回归曲线,该曲线代表了薄膜厚度与所述预定数目样品的所述至少一个喷涂条件之间的关系;以及
当所述喷涂装置开始其实际操作时,所述控制单元在与所述预定数目样品相关联描绘的所述近似曲线或所述回归曲线的基础上,根据所述喷涂单元中预设好的厚度目标值计算出所述至少一个喷涂条件的修正值,而且所述控制单元还根据计算出来的修正值产生控制所述至少一个喷涂条件的控制信号,从而由所述控制信号来控制所述喷涂单元。
2.如权利要求1所述的喷涂装置,其特征在于
所述喷涂单元把通过改变所述至少一个喷涂条件的设定值而在其上形成光刻胶薄膜的预定数目的半导体晶片作为预定数目的样品发送给所述厚度测量单元,并且将所述至少一个喷涂条件的信息发送给所述控制单元;
所述厚度测量单元测量所述预定数目样品中的每一个样品的光刻胶薄膜厚度,并将所述测得的预定数目的薄膜厚度信息发送给所述控制单元;
所述控制单元包括曲线绘图仪、修正值计算器以及控制部分;
所述曲线绘图仪利用所述至少一个喷涂条件的信息以及所述预定数目的薄膜厚度的信息描绘出所述近似曲线或所述回归曲线,这些曲线代表了所述至少一个喷涂条件的所述设定值与对应于各个设定值的样品的薄膜厚度之间的关系;
所述修正值计算器在所述近似曲线或所述回归曲线的基础上根据所述厚度目标值计算出所述至少一个喷涂条件的修正值;
所述控制部分根据计算出来的修正值产生用于对所述至少一个喷涂条件进行控制的所述控制信号,并且利用所述控制信号控制所述喷涂单元。
3.如权利要求2所述的喷涂装置,其特征在于:
所述喷涂单元包括用于转动所述半导体晶片的马达,并且所述至少一个喷涂条件是所述马达的转速,而且用于控制所述至少一个喷涂条件的控制信号是用于控制所述马达转速的信号。
4.如权利要求2所述的喷涂装置,其特征在于:
当样品的薄膜厚度超出所述近似曲线或所述回归曲线中预先设定好的范围时,所述曲线绘图仪把所述样品的薄膜厚度作为一个特殊点而删除掉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造