[发明专利]化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法

权利要求书

1.一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包含一装有以下设备的卧式反应管：用于支承衬底的基座；用于加热衬底的加热器；使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段；以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧至少一部分加压气体引入段的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。

2.根据权利要求1的化学汽相淀积设备，其中所述加压气体引入段的轮廓为圆形或椭圆形。

3.根据权利要求1的化学汽相淀积设备，其中所述的至少一部分加压气体引入段的结构为半圆形、弧形、扇形、凸透镜形或新月形。

4.根据权利要求1的化学汽相淀积设备，其中设备为在基座上安装有多件衬底的设备。

5.根据权利要求1的化学汽相淀积设备，其中设备为在基座上安装有直径为4英寸(约101.6毫米)或更大的大型衬底的设备。

6.根据权利要求1的化学汽相淀积设备，其中设备为在配料气体引入段中的气体气路分隔成有隔板或喷管的上气体气路和下气体气路的设备。

7.根据权利要求6的化学汽相淀积设备，其中配料气体引入段中的上气体气路为用于提供含三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三乙基铟、三甲基铝或三乙基铝的气体的气路，而配料气体引入段中的下气体气路为用于提供氨、单甲基肼、二甲基肼、叔丁基肼或三甲基胺的气路。

8.一种在衬底上制备半导体膜的化学汽相淀积方法，所述的方法包括以下步骤：将衬底安装在卧式反应管中的基座上，用加热器加热衬底，以送入反应管的气体的进料方向基本上平行于衬底的方式送入含配料的气体以及从面对衬底的反应管壁上的加压气体引入段送入加压气体，其特征在于，在配料气体气路的上游侧从加压气体引入段提供的至少一部分加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。

9.根据权利要求8的化学汽相淀积方法，其中所述衬底的最高加热温度为1000℃或更高。

10.根据权利要求8的化学汽相淀积方法，其中通过使用三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三乙基铟、三甲基铝或三乙基铝作为第III族金属源和使用氨、单甲基肼、二甲基肼、叔丁基肼或三甲基胺作为氮源，使氮化镓化合物半导体进行化学汽相淀积。