[发明专利]嵌入式存储器的接触插塞的制作方法

权利要求书

1.一种嵌入式存储器的接触插塞的制作方法，其特征是：该制作方法包含有下列步骤：

提供一半导体晶片，且该半导体晶片的硅基底表面已定义有一存储阵列区以及一周边电路区；

于该半导体晶片表面依序形成一第一介电层以及一未掺杂多晶硅层；

对该存储阵列区上方的该未掺杂多晶硅层进行一第一离子布植制程，以使该存储阵列区上方的该未掺杂多晶硅层形成为一掺杂多晶硅层；

于该半导体晶片表面依序形成一保护层以及一第一光阻层；

进行一第一黄光制程，以于该存储阵列区上方的该第一光阻层中定义出复数个栅极的图案；

利用该第一光阻层的图案当作硬罩幕，以蚀刻该存储阵列区上方的该保护层以及该掺杂多晶硅层，直至该第一介电层表面，以于该存储阵列区上形成各该栅极；

去除该第一光阻层；

进行一第一离子布植制程，以于该存储阵列区中的各该栅极周围形成一轻掺杂漏极(LDD)；

于该半导体晶片表面依序形成一氮硅层、一第二介电层以及一第二光阻层；

进行一第二黄光制程，以于该存储阵列区上方的该第二光阻层中定义出复数个接触插塞的图案；

利用该第二光阻层的图案当作硬罩幕，蚀刻该存储阵列区上方的该第二介电层、该氮硅层以及该第一介电层，直至该硅基底表面，以于该第二介电层中形成复数个接触插塞洞；

去除该第二光阻层；

于各该接触插塞洞中填满一多晶硅层，以于该存储阵列区上方形成各该接触插塞；

去除该周边电路区上方的该第二介电层、该氮硅层以及该保护层；

于该半导体晶片表面形成一第三光阻层；

进行一第三黄光制程，以于该周边电路区上方的该第三光阻层中定义出复数个栅极的图案；

利用该第三光阻层的图案当作硬罩幕，蚀刻该周边电路区上方的该未掺杂多晶硅层直至该第一介电层表面，以于该周边电路区上形成各该栅极；

去除该第三光阻层；

于该周边电路区中的各该栅极周围及侧壁分别形成一轻掺杂漏极以及侧壁子；

于该周边电路区中的各该栅极周围形成一源极与漏极；以及

进行一自行对准金属硅化物制程，以于各该接触插塞顶面、该周边电路区中的各该栅极的顶面以及各该源极与各该漏极表面形成一金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：该第一介电层由二氧化硅所构成，用来作为各该栅极的栅极氧化层。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：该保护层由一氮硅化合物所构成，且该保护层底部另生成有一氮氧化硅层，用来做为一抗反射层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：在该半导体晶片表面形成该第三光阻层之前，另可先于该半导体晶片表面形成一氮氧化硅层当作抗反射层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征是：在去除该第三光阻层之后，亦须去除形成于该第三光阻层下方的该氮氧化硅层。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：该自行对准金属硅化物制程另包含有下列步骤：

于该半导体晶片表面形成一金属层，且该金属层覆盖于该存储阵列区上的各该接触插塞以及该周边电路区上的各该源极、漏极以及栅极表面；

进行一第一快速热处理制程；

去除于该半导体晶片表面未反应的该金属层；以及

进行一第二快速热处理制程。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征是：该金属层由钴、钛、镍或钼所构成。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：各该接触插塞用来作为该嵌入式存储器的位元线接触以及接触电极。