[发明专利]磁头及其制造方法、磁头万向架组件和硬盘装置无效

专利信息
申请号: 02122831.0 申请日: 2002-06-06
公开(公告)号: CN1396584A 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: 片濑骏一 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;G11B5/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,傅康
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁头 及其 制造 方法 万向 组件 硬盘 装置
【权利要求书】:

1.一种磁头,它包括记录元件和再现元件中至少一种,每种元件都是通过在基片的端面上层叠多个绝缘层、导电层和磁性层并且把这些层中的每层加工成预定形状而形成的,所述磁头包括:

在与磁记录媒体相对的特定面上的凹进部分,所述磁记录媒体是作为所述元件将信息记录于其上或从中再现信息的对象,

其中除至少所述元件部分中的导电层和磁性层以外的所述特定面的一部分、所述凹进部分的底面和所述凹进部分的侧壁部分都是由同种材料制成的。

2.如权利要求1所述的磁头,其特征在于:所述同种材料是氧化铝。

3.如权利要求1所述的磁头,其特征在于:所述凹进部分的底面和侧壁的材料与所述基片的材料不同。

4.一种使用磁头的磁头万向架组件,所述磁头包括记录元件和再现元件中至少一种,每种元件都是通过在基片的端面上层叠多个绝缘层、导电层和磁性层并且把这些层中的每层加工成预定形状而形成的,所述磁头包括:

在与磁记录媒体相对的特定面上的凹进部分,所述磁记录媒体是作为所述元件将信息记录于其上或从中再现信息的对象,

其中除至少所述元件部分中的导电层和磁性层以外的所述特定面的一部分、所述凹进部分的底面和所述凹进部分的侧壁部分都是由同种材料制成的。

5.一种使用磁头的硬盘装置,所述磁头包括记录元件和再现元件中至少一种,每种元件都是通过在基片的端面上层叠多个绝缘层、导电层和磁性层并且把这些层中的每层加工成预定形状而形成的,所述磁头包括:

在与磁记录媒体相对的特定面上的凹进部分,所述磁记录媒体是作为所述元件将信息记录于其上或从中再现信息的对象,

其中除至少所述元件部分中的导电层和磁性层以外的所述特定面的一部分、所述凹进部分的底面和所述凹进部分的侧壁部分都是由同种材料制成的。

6.一种磁头制造方法,它包括:

通过在基片端面上层叠多个绝缘层、导电层和磁性层并将这些层中的每层加工成预定形状、从而形成包括记录元件和再现元件中至少一种的元件部分的步骤;

第一抛光步骤,抛光所述基片的特定面和所述元件部分的特定面,所述基片的所述特定面与所述元件在其上记录信息或从中再现信息的磁记录媒体相对,所述元件部分的所述特定面与所述元件部分中的所述磁记录媒体相对;

去除步骤,只去除所述基片的所述特定面直至第一预定深度;

薄膜形成步骤,在去除所述特定面至所述基片的预定深度之后,在所述基片的所述特定面的表面上和在所述元件部分的所述特定面的表面上形成绝缘薄膜;

第二抛光步骤,抛光所述绝缘薄膜直至所述元件部分中的导电层和磁性层中至少一层露出为止;以及

凹进部分形成步骤,在所述第二抛光步骤之后,在所述绝缘薄膜上形成具有预定形状和第二预定深度的凹进部分;

其中所述第一预定深度比所述第二预定深度深。

7.如权利要求6所述的磁头制造方法,其特征在于:在所述基片的所述特定面的表面上和所述元件部分的所述特定面的表面上形成的所述绝缘薄膜是由与构成所述元件部分的多个绝缘层中任何一层的材料相同的材料制成的。

8.如权利要求6所述的磁头制造方法,其特征在于:所述第二抛光步骤包括利用pH值调整到5-7的磨蚀液的化学机械抛光方法。

9.一种磁头制造方法,它包括:

通过在基片端面上层叠多个绝缘层、导电层和磁性层并将这些层中的每层加工成预定形状、从而形成包括记录元件和再现元件中至少一种的元件部分的步骤;

第一抛光步骤,抛光所述基片的特定面和所述元件部分的特定面,所述基片的所述特定面与所述元件在其上记录信息或从中再现信息的磁记录媒体相对,所述元件部分的所述特定面与所述元件部分中的所述磁记录媒体相对;

去除步骤,只去除所述基片的所述特定面直至预定深度;

薄膜形成步骤,在去除所述特定面至所述基片的预定深度后,在所述基片的所述特定面的表面和所述元件部分的所述特定面的表面上形成绝缘薄膜;以及

第二抛光步骤,它包括化学机械抛光方法,用于抛光所述绝缘薄膜直至所述元件部分中的导电层和磁性层中至少一层露出为止。

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