[发明专利]下层块金属的阻挡层盖

权利要求书

1.一种在具有金属焊接垫的半导体薄片上制造焊料块的方法，包括步骤：

(a)至少在该焊接垫上提供一层金属电镀接触层；

(b)形成一层具有确定所述焊接垫开口的预定图案的保护层；

(c)在该电镀接触层上该开口内形成一层焊料可附着金属层；

(d)从该开口区域去掉一定量的保护层，在金属可附着层的边缘和该保护层之间形成一个开口；

(e)在焊料可附着金属层包括步骤(d)形成的所述开口上提供一层阻挡层金属层，它能够封装该可附着金属层；

(f)在该阻挡层金属层上形成一个焊料块；

(g)去除该保护层材料；及

(h)去除任何曝光的电镀接触层。

2.如权利要求1的方法，其中在步骤(d)中，该保护层利用等离子腐蚀法去除。

3.如权利要求2的方法，其中该等离子腐蚀法是一种氧等离子腐蚀法。

4.如权利要求1的方法，其中在步骤(d)中，该保护层利用一种离子束腐蚀法去除。

5.如权利要求1的方法，其中在步骤(d)中，该保护层利用一种活性离子腐蚀法去除。

6.如权利要求1的方法，其中在步骤(d)中，该保护层利用化学方法去除。

7.如权利要求6的方法，其中该保护层是光致抗蚀剂，该化学方法包括显影。

8.如权利要求1的方法，其中该焊料可附着金属层具有铜。

9.如权利要求1的方法，其中该阻挡层金属是镍。

10.如权利要求1-8之一的方法，其中该阻挡层金属是钯。

11.如权利要求1的方法，其中该阻挡层的厚度为0.5-10微米。

12.如权利要求1的方法，其中该阻挡层的厚度为1-3微米。

13.如权利要求1的方法，其中该焊料由纯锡或含锡合金制成。

14.如权利要求1的方法，其中在步骤(a)提供的电镀接触层是一个或数个金属层，该金属选自Cr、Cr：Cu合金、Ti、Ti：W合金、Ni：V合金、Cu、Ni和Au。

15.如权利要求14的方法，其中该电镀接触层包括第一层Cr层和第二层Cu层。

16.如权利要求8的方法，其中铜层的厚度为1-10微米。

17.如权利要求8的方法，其中铜层的厚度为5-6微米。

18.如权利要求1的方法，其中在步骤(f)之后，具有制得的焊接块的薄片被加热，使焊料块重熔而大体形成球形。

19.一种具有根据权利要求1的方法制成的焊料块的薄片。

20.一种具有焊料块的薄片，其上包括一个在选定位置上形成有金属焊接垫的半导体衬底、位于焊接垫上的一层或多层金属电镀接触层、在接触层上的一层焊料可附着金属层、一层重叠在该焊料可附着金属上并封装该焊料可附着金属的阻挡层金属层、以及一个在所述阻挡层金属上形成的焊料块。

21.如权利要求20的薄片，其中该阻挡层金属是镍。