[发明专利]喇叭倍压电路无效
申请号: | 02123107.9 | 申请日: | 2002-06-07 |
公开(公告)号: | CN1390079A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 杨赐富 | 申请(专利权)人: | 神乎科技股份有限公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国平 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喇叭 压电 | ||
技术领域
本发明涉及一种喇叭倍压电路,特别是对输入电压信号经由晶体管、反相器的设置以将电压适度放大的倍压电路。
背景技术
个人数字助理(Personal Digital Assistance;PDA)是一种可携式电子消费产品,常用在实时信息的传送服务或是个人资料的记录整理,当然还有许多附加功能的设计,而在个人数字助理内部硬件的组成中,硬件电路的设计是影响性能表现的因素之一,众所皆知PDA除了一个液晶显示屏幕以显示信息外,透过喇叭装置以提供声音输出,其中通常在电路设计中是利用电流放大的方式来驱动喇叭,然而利用电流驱动喇叭常常会消耗太多的电能,尤其使用者随身携带PDA多半不会或不能使用变压器连接电源插座,而是使用电池来提供PDA的电力来源,在此情况下,多余的电能消耗使电池容量消耗过快而影响电池的使用时间,当然也影响使用者的便利性,而且不论在电路设计上或是使用方便性而言,均不符合经济效率的原则,更影响了产品的整体竞争力,因此若能在对喇叭的驱动电路上予以设计改良并进而能节省电力的消耗者,则对此技术领域的创新进步必有助益。
发明内容
本发明是为解决上述现有技术的缺点提出的。本发明目的是提供一种喇叭倍压电路,通过对输入电压信号予以适当放大,经由晶体管、反相器的适当设置以将电压适度放大。
根据本发明,喇叭倍压电路包括:一第一晶体管、一第二晶体管、一第一反相器以及第二反相器。其中第一晶体管连接第一电源,并接受一开关信号的控制,开关信号Vsh可控制第一晶体管是否导通,进而控制喇叭倍压电路是否可正常工作。第二晶体管连接第一晶体管并接受一输入电压,第二晶体管连接一第二电源。
第一反相器则连接该第二晶体管以供第一反相器的电压输入,第一反相器的信号输出端则连接喇叭的一输入端。而第二反相器的输入端连接该第一反相器的输出端,第二反相器的信号输出端则连接喇叭的另一输入端。
为了便于进一步了解本发明的上述目的、内容和优点,下面结合附图对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是为本发明较佳实施例的方框图;
图2是为本发明较佳实施例的电路图。
附图标号说明:1-喇叭倍压电路;10-第一晶体管;11、13、16、17、18-电阻;12-第二晶体管;14-第一反相器;15-第二反相器;2-喇叭。
具体实施方式
本发明是一种喇叭倍压电路,藉由本发明的实施对输入电压信号予以适当放大,不同于传统技术利用电流放大的方式,相比于传统技术可以节省电源以节省成本,经由本发明的电路设计可将输入电压信号予以放大四倍,以提供足够的电力来源来驱动喇叭。
图1是本发明较佳实施例的方框图。如图1所示,若由外部输入一电压Va,在经由本发明的喇叭倍压电路1的放大后,将输出电压Vbc送至一喇叭2,经放大后的Vbc电压为输入电压的4倍,若Va的电压为本发明所需的电源电压Vcc时,则输出电压Vbc则为4Vcc。再者,喇叭倍压电路1可由一开关信号Vsh来控制本发明的动作与否。
图2是本发明较佳实施例的电路图。如图2所示,本发明的喇叭倍压电路1包括一第一晶体管10、一第二晶体管12、一第一反相器14、一第二反相器15。其中该第一晶体管10的射极(E)接受一第一电源Vcc,该第一晶体管10的基极(B)接受一开关信号Vsh的控制,开关信号Vsh控制第一晶体管10是否导通,进而控制喇叭倍压电路1是否可正常工作。第二晶体管12的射极连接第一晶体管10的集电极(C),第二晶体管12的基极接受一输入电压Va的输入,第二晶体管12的集电极则经由一电阻16连接一第二电源-Vcc。其中该输入电压Va可设为与该第一电源Vcc相同的电压。若第一电源为正的电源Vcc,则第二电源为负的电源-Vcc。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于神乎科技股份有限公司,未经神乎科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02123107.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
- 下一篇:非易失性半导体存储装置