[发明专利]电路装置的制造方法无效
申请号: | 02123153.2 | 申请日: | 2002-06-19 |
公开(公告)号: | CN1392600A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
1、一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括:
预备用绝缘树脂覆盖导电膜的表面而成的绝缘树脂板的工序;在所述绝缘树脂板的所需部位的所述绝缘树脂上形成通孔,选择性地露出所述导电膜背面的工序;在所述通孔及所述绝缘树脂表面形成导电镀膜的工序;将所述导电镀膜蚀刻为所需的图形,形成第一导电配线层的工序;在所述第一导电配线层上电绝缘地固定半导体元件的工序;将所述第一导电配线层及所述半导体元件用密封树脂层覆盖的工序;将所述第二导电膜蚀刻成所需的图形,形成第二导电配线层的工序;在所述第二导电配线层的所需部位形成外部电极的工序。
2、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述导电膜及所述导电镀膜用铜形成。
3、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述导电镀膜形成得薄,使所述第一导电配线层形成精细图形化。
4、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述导电膜形成得厚,到用所述密封树脂层覆盖的工序前,以所述导电膜机械地支承。
5、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,在用所述密封树脂层覆盖的工序后,以所述密封树脂层机械地支承。
6、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述通孔是激光蚀刻所述绝缘树脂形成的。
7、如权利要求书6所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述激光蚀刻采用二氧化碳激光。
8、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述导电镀膜以导电金属的无电场镀及电场镀形成于所述通孔及所述绝缘树脂的表面。
9、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,形成所述第一导电配线层之后,除所需部位外用外敷层树脂覆盖。
10、如权利要求书9所述的电路装置的制造方法,其特征在于,在从所述第一导电配线层的所述外敷层树脂露出的部位,形成金或银的镀层。
11、如权利要求书9所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述半导体元件固定在所述外敷层树脂上。
12、如权利要求书10所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述半导体元件的电极与所述金或银的镀层以接合线来连接。
13、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述密封树脂层以传递模形成。
14、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述第二导电配线层大部分被外敷层树脂覆盖。
15、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述外部电极以焊料的丝网印刷附着焊料,加热熔融后形成。
16、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述外部电极以焊料的反流形成。
17、如权利要求书1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述外部电极是将所述导电膜蚀刻为所需的图形,将其表面镀金或镀钯形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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