[发明专利]半导体组件及其制造方法无效
申请号: | 02123715.8 | 申请日: | 2002-03-29 |
公开(公告)号: | CN1384550A | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
发明(设计)人: | 堀哲二 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吴丽丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体组件,其特征在于包括:
含有在上侧配置的第一和第二电极以及在底侧配置的第三电极的半导体芯片;
在上述第三电极上接合的热扩展器;
分别经导电性的第一和第二接合部件电连接于上述第一和第二电极上的导电性的第一和第二引线,上述第一和第二引线在下端部分别具有沿着横向延伸并与上述热扩展器的第一侧平行配置的足部;
通过埋置封装到上述半导体芯片、上述热扩展器和上述第一和第二引线的至少上述足部的一部分的绝缘性的封装体,上述热扩展器的底面、上述第一和第二引线的上述足部的底面从上述封装体的底面露出,并且实质上配置在同一平面上。
2.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述热扩展器是导电性的,并且经导电性的第三接合部件电连接在上述第三电极上,具有作为第三引线的功能。
3.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一、第二和第三电极分别电连接于源极、栅极和漏极。
4.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述半导体芯片的上述上侧上连接的包含上述第一和第二引线的整个引线的足部仅与上述热扩展器的第一侧平行配置。
5.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一和第二引线是分别接受施加在上述半导体芯片上的第一和第二电压的唯一端子。
6.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一和第二引线分别由导电性带形成。
7.根据权利要求6所述的半导体组件,其特征在于上述热扩展器具有厚度t1,上述导电性带具有厚度t2,厚度比条件满足1<t1/t2≤3。
8.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述封装体通过埋置来实质上封装上述第一和第二引线的上述足部的整体,上述足部的边缘端在上述封装体的侧面上露出。
9.根据权利要求8所述的半导体组件,其特征在于上述足部的上述边缘端从上述封装体的侧面仅突出0~0.3mm。
10.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一和第二引线各自具有:与上述半导体芯片的上述上侧相对的基部;从上述基部弯曲沿着上述半导体芯片和上述热扩展器的侧面延伸的脚部;从上述脚部弯曲向从上述热扩展器离开的侧延伸的上述足部。
11.根据权利要求10所述的半导体组件,其特征在于上述封装体通过埋置来封装上述半导体芯片、上述热扩展器和上述第一和第二引线的上述基部和上述脚部整体以及上述第一和第二引线的上述足部的至少一部分。
12.根据权利要求10所述的半导体组件,其特征在于上述脚部相对上述平面成90°±10°的角度。
13.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一和第二接合部件分别具有横截面积为0.007~0.07mm2的接合部件。
14.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一和第二接合部件至少之一具有横截面积为0.2mm2以上的接合部件。
15.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述封装体实质上由从包含环氧树脂的热固化树脂构成的组中选择出的材料构成。
16.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述第一和第二接合部件实质上分别由金和焊锡构成的组中选择的材料构成。
17.根据权利要求16所述的半导体组件,其特征在于还具有分别在上述第一和第二电极与上述第一和第二接合部件之间插入的阻挡层,上述第一和第二接合部件实质上分别由焊锡构成。
18.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于上述热扩展器和上述第一和第二引线由不同的材料构成。
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