[发明专利]电容元件、半导体存储器及其制备方法

权利要求书

1、一种电容元件，它包括：下方电极、形成在该下方电极上且由金属氧化物制成的电容绝缘膜、形成在该电容绝缘膜上的上方电极、以及将该下方电极周围掩埋起来的掩埋绝缘膜，其中：

该下方电极中包括防止氧扩散的导电性阻挡层；

形成有至少和该下方电极侧面中该导电性阻挡层的侧面相接触，来防止氢扩散的绝缘性阻挡层。

2、根据权利要求第1项所述的电容元件，其中：

在含氢的气氛下，形成上述掩埋绝缘膜。

3、根据权利要求第1项所述的电容元件，其中：

由氧化硅(SiO₂)或者氮化硅(Si₃N₄)形成上述掩埋绝缘膜。

4、根据权利要求第1项所述的电容元件，其中：

上述绝缘性阻挡层也防止氧扩散。

5、根据权利要求第1项所述的电容元件，其中：

上述导电性阻挡层，包括：由防止氧及氢扩散的第1导电性阻挡层和防止氧扩散的第2导电性阻挡层组成的叠层膜。

6、根据权利要求第5项所述的电容元件，其中：

上述第1导电性阻挡层，由氮化钛铝(TiAlN)、钛铝(TiAl)、氮化硅化钛(TiSiN)、氮化钽(TaN)、氮化硅化钽(TaSiN)、氮化钽铝(TaAlN)、及钽铝(TaAl)中之任一个膜，或者至少包含其中之二的叠层膜组成。

7、根据权利要求第5项所述的电容元件，其中：

上述第2导电性阻挡层，由二氧化铱(IrO₂)、按下为铱(Ir)上为二氧化铱(IrO₂)之顺序制成的叠层膜、二氧化钌(RuO₂)、及按下为钌(Ru)上为二氧化钌(RuO₂)之顺序制成的叠层膜这些膜中的任一个，或者至少含有这些膜中之二的叠层膜组成。

8、根据权利要求第1项所述的电容元件，其中：

上述绝缘性阻挡层中含有氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛铝(TiAlO)及氧化钽铝(TaAlO)中之任一个。

9、一种电容元件，它包括：下方电极、形成在该下方电极上且由金属氧化物制成的电容绝缘膜、形成在该电容绝缘膜上的上方电极、以及将该下方电极周围掩埋起来的掩埋绝缘膜，其中：

该下方电极中，包括：由二氧化铱(IrO₂)、按下为铱(Ir)上为二氧化铱(IrO₂)之顺序制成的叠层膜、二氧化钌(RuO₂)、及按下为钌(Ru)上为二氧化钌(RuO₂)之顺序制成的叠层膜这些膜中的任一个，或者至少含有这些膜中之二的叠层膜组成的导电性阻挡层；

形成有至少和该下方电极侧面中导电性阻挡层的侧面相接触，且至少含有氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛铝(TiAlO)及氧化钽铝(TaAlO)中之一的绝缘性阻挡层。

10、一种半导体存储器，其中：

包括：形成在半导体衬底上且包括源极区及漏极区的晶体管、形成在该半导体衬底上覆盖晶体管的层间绝缘膜、形成在该层间绝缘膜上并和该晶体管的该源极区或者该漏极区保持电连接的接触柱塞、以及该下方电极形成在该接触柱塞上的上述权利要求第1项到第9项中之任一项所述的电容元件。