[发明专利]用于电子管的阴极和制备所述阴极的方法

权利要求书

1.一种用于电子管的阴极，其包括：

一金属基体；以及

一被涂敷在所述金属基体上的电子发射材料层，所述电子发射材料层包含有针状的导电材料，并且相应于电子发射材料层上的最高点和最低点之间的距离的表面粗糙度小于10微米。

2.如权利要求1所述的阴极，其中所述的阴极是氧化物阴极。

3.如权利要求2所述的阴极，还包括所述针状导电材料，其是从以下物质构成的组中选择的至少一种：碳，铟锡氧化物，镍，镁，铼，钼和铂。

4.如权利要求2所述的阴极，还包括所述针状导电材料是一种含碳的材料，

5.如权利要求4所述的阴极，还包括所述含碳材料可以从基本上由以下材料构成的组中选择：碳纳管，碳纤维，和石墨纤维。

6.如权利要求2所述的阴极，其中还包括所述针状导电材料是镍。

7.如权利要求2所述的阴极，其中还包括在电子发射材料层中的针状导电材料的含量按重量比在电子发射材料的总重量的0.01-30％的范围内。

8.如权利要求2所述的阴极，其中还包括所述针状导电材料是一种含碳的材料，其中所述针状导电材料的含量按重量在所述电子发射材料的总重量的0.01-30％的范围内，并且所述电子发射材料层的厚度最好在30-80微米的范围内。

9.如权利要求2所述的阴极，其中还包括所述电子发射材料层用以下方法中的一种方法被涂敷在金属基体上：印刷方法，电淀积方法和涂抹方法。

10.如权利要求2所述的阴极，其中还包括利用丝网印刷方法把所述电子发射材料层涂敷在所述金属基体上。

11.如权利要求2所述的阴极，还包括含有其颗粒尺寸小于所述金属基体的颗粒尺寸的镍颗粒的金属层，所述金属层被形成在所述金属基体和所述电子发射材料层之间。

12.如权利要求11所述的阴极，其中所述金属层包括从下面的金属构成的组中选择的至少一种金属：钽(Ta)，铬(Cr)，镁(Mg)，硅(Si)，和锆(Zr)。

13.如权利要求11所述的阴极，其中所述金属层的厚度在1到30微米的范围内。