[发明专利]电子源电极及其制造方法和电子管

权利要求书

1.电子源电极包括：

基板，

在这个基板形成的电子发射源区域，和

包围这个电子发射源区域周围的屏蔽区域，

其中

上述屏蔽区域是当用干式法在上述电子发射源区域生成电子发射源时由不生成该电子发射源的材料形成的。

2.权利要求项1记载的电子源电极，其中

上述电子发射源区域的特征是生成上述电子发射源时的表面是由铁或含铁的铁系材料形成的。

3.权利要求项1记载的电子源电极，其中

上述基板是铁或含铁的合金薄板。

4.权利要求项2记载的电子源电极，其中

上述电子发射源是碳毫微管层。

5.权利要求项4记载的电子源电极，其中

上述碳毫微管层是用热CVD法形成的碳毫微管层。

6.权利要求项1记载的电子源电极，其中

上述屏蔽区域的特征是它的表面是由铁或含铁的铁系材料以外的非铁材料形成的。

7.权利要求项6记载的电子源电极，其中

上述非铁材料是铜，镍，钴，钼，钛，钨，包含它们中的1种或2种以上的非铁合金，或陶瓷。

8.权利要求项6记载的电子源电极，其中

上述屏蔽区域是在生成上述电子发射源前在上述电子发射源区域的周围印刷铜涂料后，在还原性气体中烧制铜涂料得到的。

9.权利要求项6记载的电子源电极，其中

在上述屏蔽区域中，在生成上述电子发射源前用真空蒸涂法形成上述非铁材料。

10.权利要求项6记载的电子源电极，其中

在上述屏蔽区域中，在生成上述电子发射源前用非电解蒸涂法形成上述非铁材料。

11.权利要求项6记载的电子源电极，其中

在上述屏蔽区域中，在生成上述电子发射源前形成上述非铁材料的涂层。

12.权利要求项6记载的电子源电极，其中

在上述屏蔽区域中，在生成上述电子发射源前用溅射法形成上述非铁材料。

13.权利要求项6记载的电子源电极，其中

上述电子发射源区域的电子发射源的层厚与上述屏蔽区域的非铁材料的层厚大致相同。

14.电子源电极包括：

由具有许多孔的铁或含铁的铁系材料构成的基板，和

在这个基板上形成的电子发射源区域，

其中

形成上述电子发射源区域的面的里面是当用干式法生成电子发射源时用不生成该电子发射源的材料形成的。

15.权利要求项14记载的电子源电极，其中

不生成上述电子发射源的材料是铁或含铁的铁系材料以外的非铁材料。

16.权利要求项15记载的电子源电极，其中

上述非铁材料是铜，镍，钴，钼，钛，钨，包含它们中的1种或2种以上的非铁合金，或陶瓷。

17.电子源电极的制造方法，它包括下列步骤：

在表面由铁或含铁的铁系材料构成的基板上形成电子发射源的区域的周围印刷铜涂料的工序，

在还原性气体中烧制上述铜涂料的工序，和

用用于电子发射材料的原料气体在上述导体基板表面上生成电子发射源的工序。

18.在外围器内收藏着电极的电子管，它包括：

电子源电极，

具有与这个电子源电极大致平行对置地形成的网格部分的电子引出电极，和

夹着这个电子引出电极，与上述电子源电极对置的阳极，

其中

上述电子源电极是权利要求项1记载的电子源电极，在与上述网格部分对置的区域内配置上述电子发射源。