[发明专利]多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅结晶方法，包括：

第一步骤，在一个衬底上形成多晶硅层；

第二步骤，除了一部分具有特定取向的晶粒以外，使多晶硅层的晶粒成为非结晶的；和

第三步骤，使用具有特定取向的晶粒使多晶硅层结晶。

2.根据权利要求1所述的方法，其中利用微多晶硅形成第一步骤中的多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在垂直方向形成具有特定取向的晶粒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在第二步骤中进行硅离子注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中第三步骤包括以下子步骤：熔化预定厚度的多晶硅层，并使熔化的多晶硅固化。

6.根据权利要求5所述的方法，其中利用准分子激光退火执行熔化预定厚度的多晶硅层的子步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在形成多晶硅层之前，进一步形成一缓冲氧化物层。

8.一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法，包括：

第一步骤，在一个衬底上形成多晶硅层；

第二步骤，除了一部分具有特定取向的晶粒以外，使多晶硅层的晶粒成为非结晶的；

第三步骤，使用具有特定取向的晶粒使多晶硅层结晶；

第四步骤，选择性地构图多晶硅层并在包括构图的多晶硅层的整个表面上形成绝缘层；

第五步骤，在多晶硅层上的绝缘层的预定区域上形成栅极；和

第六步骤，使用栅极作为掩模在多晶硅层中注入杂质以形成源/漏区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中利用微多晶硅形成第一步骤中的多晶硅层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在垂直方向形成具有特定取向的晶粒。

11.根据权利要求8所述的方法，其中在第二步骤中进行硅离子注入。

12.根据权利要求8所述的方法，其中第三步骤包括以下子步骤：熔化预定厚度的多晶硅层，并使熔化的多晶硅固化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中利用准分子激光退火执行熔化预定厚度的多晶硅层的子步骤。

14.根据权利要求8所述的方法，其中在形成多晶硅层之前，进一步形成一缓冲氧化物层。

15.一种制造液晶显示器的方法，包括：

第一步骤，在一个衬底上形成多晶硅层；

第二步骤，除了一部分具有特定取向的晶粒以外，使多晶硅层的晶粒成为非结晶的；

第三步骤，使用具有特定取向的晶粒使多晶硅层结晶；

第四步骤，选择性地构图多晶硅层并在包括构图的多晶硅层的整个表面上形成绝缘层；

第五步骤，在多晶硅层上的绝缘层的预定区域上形成栅极；

第六步骤，使用栅极作为掩模在多晶硅层中注入杂质以形成源/漏区；

第七步骤，形成分别连接到源/漏区的源/漏极；

第八步骤，形成连接到漏极的像素电极；和

第九步骤，把第一衬底连接到一第二衬底以使二者彼此相对，并在连接的第一和第二衬底之间的空间中注入液晶。

16.根据权利要求15所述的方法，其中利用微多晶硅形成第一步骤中的多晶硅层。

17.根据权利要求15所述的方法，其中在垂直方向形成具有特定取向的晶粒。

18.根据权利要求15所述的方法，其中在第二步骤中进行硅离子注入。

19.根据权利要求15所述的方法，其中第三步骤包括以下子步骤：熔化预定厚度的多晶硅层，并使熔化的多晶硅固化。

20.根据权利要求19所述的方法，其中利用准分子激光退火执行熔化预定厚度的多晶硅层的子步骤。

21.根据权利要求15所述的方法，其中在形成多晶硅层之前，进一步形成一缓冲氧化物层。

22.根据权利要求15所述的方法，其中在第五步骤中还与栅极一起形成一选通线，并且在第七步骤中还与源/漏极一起形成一与选通线交叉的数据线。