[发明专利]半导体膜、半导体膜的形成方法、及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体膜，其特征在于：通过将表面具有凹凸的半导体膜氧化，并将该表面氧化膜去除，而将所述半导体膜的表面进行平坦化。

2.一种半导体膜，其特征在于：通过对基板上的非晶质半导体膜照射激光，使多结晶化的多晶半导体膜的表面氧化，并去除因该氧化而形成的表面氧化膜，而将所述半导体膜的表面进行平坦化。

3.一种半导体膜，其特征在于：通过对基板上的非晶质半导体膜照射激光，使多结晶化的多晶半导体膜的表面以高压氧化环境氧化，并去除因该氧化所形成的表面氧化膜，而将所述半导体膜的表面进行平坦化。

4.一种半导体膜的形成方法，其特征在于：包括：

将表面具有凹凸的半导体膜的表面氧化、而形成表面氧化膜的步骤；以及

去除该表面氧化膜、而使所述半导体膜的表面的凹凸减少的步骤。

5.一种半导体膜的形成方法，其特征在于：包括：

在基板上形成非晶质半导体膜的步骤；

对该非晶质半导体膜照射激光、而将非晶质半导体膜重整成多晶半导体膜的步骤；

在高压环境中将该多晶半导体膜的表面进行氧化的步骤；以及

将该经氧化的氧化多晶半导体膜去除的步骤。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：

在基板上形成非晶质半导体膜的步骤；

对该非晶质半导体膜照射激光、而将非晶质半导体膜重整成多晶半导体膜的步骤；

在高压氧化环境中将该多晶半导体膜的表面进行氧化的步骤；

将该经氧化的氧化多晶半导体膜去除、而露出所述多晶半导体膜的步骤；

在该多晶半导体膜形成源极及漏极之后、形成覆盖该多晶半导体膜的绝缘膜的步骤；以及

在该绝缘膜上形成栅极电极的步骤。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：

在基板上形成栅极电极的步骤；

形成覆盖该栅极电极的栅极绝缘膜的步骤；

在所述栅极电极的上方、形成非晶质半导体膜的步骤；

对该非晶质半导体膜照射激光、而将非晶直半导体膜重整成多晶半导体膜的步骤；

在高压氧化环境中、将该多晶半导体膜的表面进行氧化的步骤；

将该经氧化的氧化多晶半导体膜去除、而露出所述多晶半导体膜的步骤；以及

在该多晶半导体膜上形成源极和漏极的步骤。