[发明专利]显示器件

说明书

发明领域

本发明涉及由有源矩阵液晶显示和EL式显示所代表的平板显示器所适用的结构。

背景技术

传统已知的平板显示器包括有源矩阵液晶显示器，其结构中，为按矩阵形状设置的大量象素中的每一个提供用于开关的薄膜晶体管，并由该薄膜晶体管控制电荷进入各个象素电极和从各个象素电极出来。

在这种结构中，必须设置掩蔽装置(光屏蔽装置)，用以避免光进入在象素区设置的薄膜晶体管。

从杂质弥散和稳定性的角度出发，通常选用金属膜作为掩蔽装置(光屏蔽装置)。而且，设置这类用于薄膜晶体管掩蔽装置通常还起到黑色矩阵的作用，覆盖象素电极的外围边缘区域。

这类结构具有如下问题。第一个问题是在掩蔽膜与薄膜晶体管之间产生电容，这对薄膜晶体管的工作有不利影响。第二个问题是因为掩蔽膜通常形成在不平整的衬底上，可能使掩蔽功能不充分。

与掩蔽功能相关的问题同样影响为与象素边缘搭接而设置的黑色矩阵。

发明内容

本说明书公开的发明的目的在于提供一种能解决与用于遮蔽薄膜晶体管的掩蔽膜相关的问题的结构，以达到作为有源矩阵显示器的高性能。

本说明书公开的发明的结构，其特征在于包括：

具有与象素电极相连接的输出端的薄膜晶体管；

设置在薄膜晶体管上由树脂材料制成的层绝缘膜；

设置在层绝缘膜上用于遮蔽薄膜晶体管的掩蔽膜。

根据本发明的另一种结构，其特征在于包括：

形成在薄膜晶体管上由树脂材料制成的层绝缘膜；

形成在由树脂材料制成的层绝缘膜上的用于遮蔽薄膜晶体管的掩蔽膜。

根据本发明的又一种结构，其特征在于包括：

按矩阵形式设置的多个象素电极；用于覆盖至少象素电极部分边缘区域的黑色矩阵；该黑色矩阵设置在由树脂材料制成的层绝缘膜上。

附图说明

图1A-1D展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。

图2A-2C展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。

图3A-3C展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。

图4A-4C展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。

图5A-5D展示了有源矩阵电路的象素部分的制造工序。

具体实施方式

以下将说明本发明的第一实施例。图1A-1D和图2A-2C展示了本实施例所述有源矩阵液晶显示器的象素部分的制造工序。

如图1A所示，采用等离子体CVD工艺，在玻璃衬底101上首先形成厚度为3000的氧化硅膜102作为背膜。

接着，形成非晶硅膜(未示出)，之后将作为由薄膜半导体制成的起始膜，用于形成薄膜晶体管的有源层。

采用CVD工艺形成厚为500的非晶硅膜(未示出)。

然后采用加热处理或者用激光来照射或者采用加热处理与微光来照射相结合的工艺，使非晶硅膜晶化，制取结晶硅膜(未示出)。

对结晶硅膜(未示出)刻图，制成薄膜晶体管的有源层103。

接着，进行等离子体CVD处理，形成厚1000的氧化硅膜104，通过覆盖有源层103，用作栅绝缘膜，如图1A所示。因此，获得如图1A所示的状态。

接着，采用溅射工艺形成含0.1wt％钪的铝膜(未示出)，厚度为4000。此铝膜将用作栅电极层。

形成铝膜之后，在其表面上形成厚100的致密阳极氧化膜(未示出)。用氨水对含3％的酒石酸的乙二醇溶液进行中和，在由此获得的电解液中，以铝膜作为阳极，进行阳极氧化。

另外，通过设置光刻胶掩模(未示出)来刻图。作为刻图的结果，形成栅电极105。

形成栅电极105之后，利用设置就位的光刻胶掩模(未示出)再次进行阳极氧化。此次阳极氧化采用含3％乙二酸的水溶液作为电解液。

由于剩余的光刻胶掩模(未示出)，所以此次阳极氧化仅在栅电极105的侧面选择地发生。本工序中形成的阳极氧化膜具有多孔结构。

因此，在栅电极105侧面形成多孔阳极氧化膜106。此多孔阳极氧化膜可生长至几个微米的数量级。由阳极氧化的持续时间可控制此生长的尺寸。

这里，阳极氧化膜106的厚度是6000。

接着，利用氨水对含3％酒石酸的乙二醇溶液进行中和，采用由此获得的电解液再次进行阳极氧化。在本次阳极氧化工序中，由于电解液渗入多孔阳极氧化膜106，所以围绕栅电极105形成致密的阳极氧化膜107。