[发明专利]半导体器件

说明书

[发明的详细说明]

[发明所属的技术领域]

本发明涉及包括熔丝的半导体器件，特别是涉及包括通过激光照射能熔断的熔丝的半导体器件。

[背景技术]

现在，在半导体器件中，为了代替在制造过程中发生的缺陷而导致的不良的电路，预先装入代用电路。例如，在半导体存储器中，由于在制造过程中发生的不良现象多半在存储单元部发生，所以一般说来，设置多个以字线或位线为单元的冗余存储单元。将控制该冗余存储单元的电路称为冗余电路。该冗余电路具有这样的功能：在构成半导体器件的一个芯片内出现了不良元件的情况下，通过用激光照射有对应于该不良元件的地址的熔丝元件，使该熔丝元件熔断，将该不良元件替换成正常的元件。

可是，近年来由于要求半导体器件高集成化而使得存储器微细化，与此相伴随，熔丝元件本身也被微细化。由于熔丝元件的可靠性影响到半导体存储器的合格率，所以希望熔丝元件的熔断的可靠性高。如果能提高熔丝熔断的可靠性，则能提高半导体器件的合格率。

[发明要解决的课题]

本发明的目的在于提供一种合格率优异的半导体器件。

[解决课题用的方法]

(半导体器件)

本发明的半导体器件的特征在于，包括：

第一绝缘层；

按照规定的间距排列在上述第一绝缘层上的多个熔丝，这是通过激光照射能熔断的熔丝；以及

覆盖着上述熔丝的侧面及上表面形成的第二绝缘层。

如果采用该结构，则根据上述熔丝的材质、膜厚、以及结构，通过调制上述第二绝缘层的膜厚，能进行上述熔丝的稳定熔断。其结果是，能谋求提高合格率。

作为本发明的半导体器件的优选形态，能举例给出以下的(1)～(3)。

(1)覆盖一个熔丝的上述第二绝缘层最好与覆盖同该一个熔丝相邻的熔丝的上述第二绝缘层连续。

(2)最好在半导体衬底上形成的开口部的底部上形成上述熔丝。

(3)另外，包括有多层布线结构的电路部，

最好在与构成上述电路部的一个布线层为同一水平面的层上形成上述熔丝。

在此情况下，最好在构成上述电路部的布线层中与最上布线层为同一水平面面的层上形成上述熔丝。

另外，在此情况下，上述熔丝的膜厚最好与构成上述电路部的一个布线层的膜厚大致相等。

[附图的简单说明]

图1是原理性地表示本发明的一个实施例的半导体器件的剖面图。

图2是原理性地表示在图1所示的半导体器件中形成的熔丝的平面图。

图3是原理性地表示图1所示的半导体器件的一道制造工序的剖面图。

图4是原理性地表示图1所示的半导体器件的一道制造工序的剖面图。

图5是原理性地表示图1所示的半导体器件的熔丝的熔断工序的剖面图。

图6是原理性地表示通过图5所示的工序被熔断的熔丝的剖面图。

[发明的实施例]

以下，参照附图说明本发明的优选实施例。

(器件的结构)

图1是原理性地表示本发明的一个实施例的半导体器件的剖面图。在图1中示出了在与熔丝20的长度方向垂直的面上将熔丝20切断时的截面。图2是原理性地表示图1所示的半导体器件中形成的熔丝20的平面图。

如图1所示，本实施例的半导体器件包括：有多层布线结构的电路部120、以及包括多个通过激光的照射能熔断的熔丝20的熔丝部110。另外，在图1中示出了熔断前的熔丝20的结构。

电路部120及熔丝部110都在作为半导体衬底的硅衬底10上形成。在硅衬底10上从硅衬底10一侧开始依次层叠第一层至第四层的层间绝缘层32、34、36、38。第一层至第四层的层间绝缘层32、34、36、38最好由氧化硅、FSG(掺氟的氧化硅)、或者它们的层叠结构形成。在第一层至第四层的层间绝缘层32、34、36、38上、分别在规定的位置形成通孔(图中未示出)。在该通孔内埋入导电性材料，形成接触部(图中未示出)。在各层间绝缘层的上下形成的布线层之间利用该接触部而被导电性地连接起来。另外，在第四层的层间绝缘层38上形成例如由氮化硅层构成的钝化层40。

电路部120包括含有晶体管等元件的电路。作为这样的电路能举出：存储电路、液晶驱动电路、或形成了电容或电阻元件的模拟电路等。另外，作为上述存储电路，例如能举出DRAM、SRAM、闪速存储器等。