[发明专利]用于制造半导体器件的非氧化隔离衬致密化方法

权利要求书

1.对至少部分围绕多硅化物结构的隔离衬氧化物致密化的方法，所述方法包括在非氧化环境中致密化所述隔离衬氧化物。

2.权利要求1的方法，其中所述方法包括把所述隔离衬氧化物暴露在氧化物致密化温度达到一时间周期，以便有效致密化所述隔离衬氧化物。

3.权利要求2的方法，其中所述非氧化环境包括真空。

4.权利要求2的方法，其中所述非氧化环境包括非氧化气体。

5.权利要求4的方法，其中所述非氧化气体包括氮气、氩气、氦气、氘气或它们的组合至少之一。

6.权利要求5的方法，其中所述非氧化气体包括氮气。

7.权利要求5的方法，其中在所述隔离衬氧化物所述致密化期间，所述多硅化物结构的表面暴露在所述非氧化环境。

8.权利要求5的方法，其中在所述隔离衬氧化物所述致密化期间，所述多硅化物结构至少一部分不是由氧化硅或氮化硅封装。

9.权利要求8的方法，其中所述多硅化物包括硅化钨。

10.权利要求8的方法，其中所述多硅化物在所述致密化之后基本上没有受到附着力降低。

11.权利要求1的方法，其中所述多硅化物结构包括MOSFET半导体器件的一部分。

12.权利要求11的方法，其中所述多硅化物结构包括CMOS半导体器件的一部分。

13.权利要求11的方法，其中所述多硅化物结构包括非易失存储器多硅化物结构；其中所述器件还包括非存储器多硅化物结构，该结构具有至少部分围绕所述非存储器多硅化物结构的隔离衬氧化物；且其中所述方法还包括在所述非氧化环境中致密化至少部分围绕所述非存储器多硅化物结构的所述隔离衬氧化物，同时致密化至少部分围绕所述非易失存储器多硅化物结构的所述隔离衬氧化物。

14.至少部分地使用权利要求1的方法制造的半导体器件。

15.在衬底上形成半导体结构的方法，包括：

形成多硅化物结构，该结构包括至少一个多晶硅层和至少一个金属硅化物层；

在所述多晶硅结构上形成隔离衬氧化物，所述隔离衬氧化物至少部分地围绕所述多硅化物结构形成；以及

在非氧化环境中致密化所述隔离衬氧化物，以形成所述半导体结构。

16.权利要求14的方法，其中所述多硅化物包括硅化钨。

17.权利要求16的方法，其中所述非氧化环境包括氮气，且其中所述方法包括致密化所述隔离衬氧化物，这是把所述隔离衬氧化物暴露在氧化物致密化温度中，达到在所述氮气中有效致密化所述隔离衬氧化物的时间周期。

18.权利要求17的方法，其中在所述隔离衬致密化期间基本上没有由于暴露的硅表面氧化所致的偏离点位氧化物生长损失。

19.权利要求17的方法，其中所述氧化物致密化温度包括从大约850℃和大约1050℃的温度。

20.权利要求17的方法，其中所述多硅化物结构包括MOSFET半导体器件的一部分。

21.权利要求20的方法，其中所述半导体结构包括非存储器MOSFET控制栅结构；且其中所述方法还包括在半导体衬底上形成栅氧化物，并在所述栅氧化物上形成所述多硅化物，所述栅氧化物和所述多硅化物结构共同形成所述非存储器控制栅结构。

22.权利要求20的方法，其中所述半导体结构包括MOSFET非易失存储器结构；且其中所述方法还包括：

在半导体结构上形成存储器氧化物；

在所述存储器氧化物上形成掺杂的浮动栅多晶硅层；

在所述掺杂的浮动栅多晶硅层上形成互聚氧化物层；以及

在所述互聚氧化物层上形成所述多硅化物结构，所述互聚氧化物层和所述多硅化物结构共同形成所述非存储器控制栅结构。

23.权利要求20的方法，其中所述多硅化物结构包括CMOS半导体器件的一部分。