[发明专利]交叉点阵列中存储单元的隔离

权利要求书

1.一种存储单元(10)，包括：

P-区(20)；

包围P-区(20)的N+区(22)，该P-区(20)和该N+区(22)形成了一个柱(12)；和

布置在柱(12)的一端处的栅极氧化物(14)，栅极氧化物(14)包括能够存储二进制状态的部分(17)。

2.权利要求1的存储单元(10)，其中栅极氧化物(14)包括：

隧道栅极氧化物(15)。

3.权利要求2的存储单元(10)，其中栅极氧化物能够存储二进制状态的部分是隧道结(17)，该隧道结(17)接触柱的P-区(20)。

4.权利要求3的存储单元(10)，其中跨越隧道结(17)的电阻可以响应写电压而被改变，电阻中的该变化可以读作是隧道结(17)的二进制状态的变化。

5.权利要求1的存储单元(10)，其中栅极氧化物(14)有不均匀的厚度。

6.权利要求5的存储单元(10)，其中栅极氧化物(14)的中心部分(17)是能够存储二进制状态的部分。

7.权利要求5的存储单元(10)，其中栅极氧化物有一个环形的横截面，该横截面朝着环的外缘方向增加。

8.权利要求5的存储单元(10)，其中栅极氧化物起NMOS晶体管控制栅极(63)的作用。

9.权利要求5的存储单元(10)，其中P-区(20)和N+区(22)之间的PN结扩展贯通柱(12)。

10.权利要求9的存储单元(10)，其中柱(12)起断路状态的JFET(64)的作用。