[发明专利]平面显示器的储存电容构造及其制造方法

权利要求书

1、一种平面显示器的储存电容构造，其包含：

一基板；

一下电极，位于该基板的上方，其是以一半导体材料所完成；

一绝缘层，位于该下电极的表面上；以及

一上电极，位于该绝缘层的表面上，该上电极上是具有掺质植入通道以供掺质通过而植入该下电极中，进而改善该下电极的导电能力。

2、如权利要求1所述的平面显示器的储存电容构造，其特征在于该平面显示器为一顶部栅极薄膜晶体管液晶显示器，该顶部栅极薄膜晶体管为一低温多晶硅薄膜晶体管，而该基板为一透光基板，该下电极是以经掺杂的多晶硅所完成并电连接至该顶部栅极薄膜晶体管的漏极，该绝缘层是以二氧化硅所完成，该上电极是以金属所完成。

3、如权利要求1所述的平面显示器的储存电容构造，其特征在于该上电极的形状是选自梳状与网状的其中之一，而该梳状与网状的结构上所具有的间隙便为供掺质通过而植入该下电极中的掺质植入通道。

4、一种平面显示器的储存电容构造制造方法，其包含下列步骤：

提供一基板；

于该基板的上方形成一下电极，该下电极的材质为半导体；

于该下电极的表面上形成一绝缘层；以及

于该绝缘层的表面上形成一上电极，该上电极具有一掺质植入通道；以及

利用该掺质植入通道对该下电极植入掺质，进而改善该下电极的导电能力。

5、如权利要求4所述的平面显示器的储存电容构造制造方法，其特征在于该平面显示器为一顶部栅极薄膜晶体管液晶显示器，该顶部栅极薄膜晶体管为一低温多晶硅薄膜晶体管，而该基板为一透光基板，其中该下电极是电连接至该顶部栅极薄膜晶体管的漏极，且该下电极与该顶部栅极薄膜晶体管的通道层皆以多晶硅所完成，该绝缘层是以二氧化硅所完成，该上电极是以金属所完成。

6、如权利要求4所述的平面显示器的储存电容构造制造方法，其特征在于该上电极的形状是选自梳状与网状的其中之一，而该梳状与网状的结构上所具有的间隙便为供掺质通过而植入该下电极中的掺质植入通道。

7、一种平面显示器的储存电容构造制造方法，其包含下列步骤：

提供一基板；

于该基板的上方形成一下电极，该下电极的材质为半导体；

于该下电极的表面上形成一绝缘层；

于该绝缘层的表面上形成一上电极，该上电极的材质为半导体；

通过该上电极而对该下电极进行一第一掺质植入动作，以改善该下电极的导电能力；以及

对该上电极进行一第二掺质植入动作，以改善该上电极的导电能力。

8、如权利要求7所述的平面显示器的储存电容构造制造方法，其特征在于该平面显示器为一顶部栅极薄膜晶体管液晶显示器，该顶部栅极薄膜晶体管为一低温多晶硅薄膜晶体管，而该基板为一透光基板，该下电极是电连接至该顶部栅极薄膜晶体管的漏极，且该下电极与该顶部栅极薄膜晶体管的通道层皆以多晶硅所完成，至于该绝缘层是以二氧化硅所完成，而该上电极是以多晶硅所完成，该第一掺质植入动作的掺质植入深度是大于该第二掺质植入动作的掺质植入深度。

9、一种平面显示器的储存电容构造，其包含：

一基板；

一下电极，形成于该基板的上方，该下电极的材质为经掺杂的异质半导体；

一绝缘层，形成于该下电极的表面上；以及

一上电极，形成于该绝缘层的表面上，该上电极的材质是经掺杂的异质半导体。

10、如权利要求9所述的平面显示器的储存电容构造，其特征在于该平面显示器为一顶部栅极薄膜晶体管液晶显示器，该顶部栅极薄膜晶体管为一低温多晶硅薄膜晶体管，而该基板为一透光基板，该下电极是电连接至该顶部栅极薄膜晶体管的漏极，且该下电极是以经掺杂的异质多晶硅所完成，该绝缘层是以二氧化硅所完成，至于该上电极是以经掺杂的异质多晶硅所完成。