[发明专利]高基底触发效应的静电放电保护元件结构及其应用电路有效
| 申请号： | 02127455.X | 申请日： | 2002-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1402358A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;陈东旸;唐天浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 触发 效应 静电 放电 保护 元件 结构 及其 应用 电路 | ||
【权利要求书】：
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