[发明专利]单槽法镀多层镍工艺无效
| 申请号： | 02130459.9 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1394988A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 许维源;马金娣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | C25D5/14 | 分类号： | C25D5/14;C25D5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单槽法镀 多层 工艺 | ||
1.一种镀多层镍工艺，其利用多波形电镀电源，采用一种镀镍溶液在单个电镀槽中进行电镀。
2.根据权利要求1的工艺，其中多波形电镀电源的电流波形组合为直流电流，脉冲电流和换向脉冲电流。
3.根据权利要求2的工艺，其中直流电镀时间为1秒-30分钟。
4.根据权利要求2的工艺，其中脉冲电流的工作比为0.1-1.0∶0.5-5ms，工作时间为50-70ms∶30-50ms，电镀时间为1秒-30分钟。
5.根据权利要求2的工艺，其中换向脉冲电流的工作比为0.1-0.4∶0.6-1.0ms，换向时间为140-800ms∶40-100ms，电镀时间为1秒-20分钟。
6.根据权利要求1-5中任何一项的工艺，其中平均电流密度为0.1-10A/dm2。
7.根据权利要求1-5中任何一项的工艺，其中所用的镀镍液选自瓦特镀镍液，半光亮镀镍液或光亮镀镍液。
8.根据权利要求7的工艺，其中所用的镀镍液为瓦特镀镍液，其配方及条件为：硫酸镍0.9-1.14mol/L，氯化镍0.15-0.21mol/L，硼酸0.6-0.8mol/L，光亮剂0-0.02mol/L，表面活化剂10-50ppm；pH值为3.5-4.1，温度为40-45℃。
9.权利要求1-8中任何一项的工艺在微电子、半导体器件和电子元件及金属零件镀镍中的应用。
10.包含采用权利要求1-8中任何一项的工艺形成的多层镀镍层的制品，其特征在于，所述镀镍层的各层中，镍晶粒的结晶取向不同。
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