[发明专利]稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法无效
申请号: | 02131345.8 | 申请日: | 2002-09-29 |
公开(公告)号: | CN1402291A | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 王金淑;周美玲;王亦曼;陶斯武 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01J1/14 | 分类号: | H01J1/14;H01J1/30 |
代理公司: | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100022 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 钪钨基高 电流密度 电子 发射 材料 及其 制备 方法 | ||
【说明书】:
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