[发明专利]半导体存储装置中产生初始化信号的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体存储装置，特别涉及到一种产生初始化信号的方法，该初始化信号能够在半导体存储装置加电时防止内部电路的不稳定运行。

背景技术

加电是将外部电源施加到半导体存储装置，用于运行该装置。半导体存储装置包括初始化电路，以防止在加电期间内部电路的不稳定运行。在此，内部电路装置的不稳定运行指的是，由于外部电源不完全稳定，所以在加电运行阶段中难以确定电路中的数据是逻辑“高”还是逻辑“低”。通过利用初始化信号来锁定内部电路可以防止内部电路的不稳定运行，该初始化信号暂时是逻辑“高”，但在加电期间下降到逻辑“低”。

图1是初始化电路100的示意图，它能在加电时防止半导体存储装置内部电路的不稳定运行。参考图1，初始化电路100包括：P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体三极管MP1、电容CAP、电阻R1和反相器I11至I13。在初始化电路100的运行过程中，当来自外部电源的外部电源EVC被施加到电路100并且外部电源EVC的电平升高时，由于电平的增加，从初始化电路100输出的初始化信号VCCHB就变大。如果外部电源EVC的电平超过预定电平，就调整初始化电路100的电压，这样，第一节点N11变成逻辑“高”电平。只要第一节点N11被识别为逻辑“高”，就通过反相器I11至I13产生逻辑“低”的初始化信号VCCHB。在此，初始化脉冲信号VCCHB在加电运行期间被用来防止半导体存储装置内部电路的不稳定运行。

图2显示了一个利用初始化信号来初始化半导体存储装置内部电路的方法的例子。在图2所示的电路运行中，输入信号IN在加电期间是无效的，因此，第一节点N21处于不稳定状态。此时，当输入逻辑“高”的初始化信号VCCHB时，就通过反相器I21将PMOS晶体三极管MP2打开，并且第一节点N21被锁定到逻辑“高”电平且使其稳定。因此，可以防止输出信号OUT中的变化。当初始化信号VCCHB被转变为逻辑“低”电平时，PMOS晶体三极管MP2被断开，并且第一节点N21保持锁定到逻辑“高”电平。如上所述，初始化信号VCCHB在加电期间设置半导体存储装置内部电路的每个节点达到预定的逻辑电平。

然而，初始化电路100具有这样的问题，即它具有大的布置面积和在半导体存储装置运行时的能量消耗，即使在产生初始化信号VCCHB之后。而且，当前趋势是减小外部电源EVC的电压(以节省电源并提高速度)，这样，减小了初始化信号VCCHB的电平。这使得初始化信号VCCHB不能完成防止内部电路的不稳定运行的功能。

与此相反，根据本发明的产生初始化信号的方法可以减小初始化电路的布置面积和在加电期间的能量消耗。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的一个目的是提供一种产生初始化信号的方法，该方法能够减少初始化电路的布置面积和在加电期间的能量消耗。

所以，为了实现上述目的的一个方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后，接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后，接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。

为了实现上述目的另一个方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；以及(b)根据所接收的预充电指令，产生自动脉冲作为初始化信号。

为了实现上述目的另一方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法包括步骤：(a)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(b)根据所接收的模式设置指令，产生自动脉冲作为初始化信号。

为了实现上述目的再另一方面，提供了一种产生初始化信号的方法，该方法能够防止安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行，该半导体存储装置包括用于防止由于外部电源的施加而引起的内部电路的初始不稳定运行的初始化电路。该方法包括步骤：(a)初始化电路根据外部电源产生预初始化信号；(b)接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(c)根据预初始化信号和所接收的模式设置指令产生自动脉冲。该方法还可以包括根据所产生的初始化信号关闭初始化电路的步骤(d)。