[发明专利]桥架层状结构纳米复合材料的制备方法无效
申请号: | 02136341.2 | 申请日: | 2002-08-01 |
公开(公告)号: | CN1391982A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 上官文峰;袁坚;张沐;顾明元 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B01J21/06 | 分类号: | B01J21/06;B01J37/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟 |
地址: | 200030*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层状 结构 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
1、一种桥架层状结构纳米复合材料的制备方法,其特征在于方法具体如下:
(1)、以氧化物或盐类为原料,按化学计量比配方,经研磨,在水溶液中充分搅拌混合,蒸发后得到混合均匀的反应物,经烧结若干小时,原料间通过固相反应,生成具有钙钛矿结构和类钙钛矿结构的半导体钽酸盐母体材料,将所制备的钽酸盐母体材料在盐酸、硫酸、硝酸等酸溶液中,层间进行氢离子交换反应;
(2)、经氢离子交换反应后的钽酸盐层状材料实现层间插入反应,得到胺链支撑的桥架层状结构有机-无机纳米复合材料;
(3)、将在钽酸盐层间已插入羟基胺的有机-无机纳米复合材料通过离子交换,以Cd2+离子及其它过渡金属氧化物的离子置换层间的有机胺后,用热处理方法获得CdO或其它过渡金属氧化物层间插入的桥架层状结构纳米复合半导体材料。
2、根据权利要求1所述的这种桥架层状结构纳米复合材料的制备方法,其特征是以下对本发明作进一步描述:
(1)、以含有Rb、La和Ta的硝酸盐、碳酸盐或金属氧化物为原料,按化学计量比配方,通过800-1300℃的高温固相反应合成Rb[LaTa2O7]或其他钙钛矿结构和类钙钛矿结构的半导体钽酸盐母体材料;
(2)、半导体钽酸盐母体材料在硝酸、盐酸等酸溶液中进行氢离子交换后,在羟基胺溶液中,即CnH2n+1NH2溶液,其中n=4~10,在小于或等于100℃的条件下进行层间插入反应,得到胺链支撑的具有桥架层状结构的有机-无机纳米复合材料CnH2n+1NH3[LaTa2O7];
(3)、将在钽酸盐层间已插入羟基胺的有机-无机纳米复合材料在醋酸镉、硝酸镉或其他含Cd2+离子的溶液中,在20-100℃的条件下进行离子交换,以Cd2+离子置换层间的有机胺后,在400-550℃下热处理获得层间插入CdO的桥架层状结构纳米复合半导体材料CdO[LaTa2O7];
(4)、层间插入的金属氧化物可以为CdO或者其它含有金属氧化物,利用含其它过渡金属离子的盐类进行离子交换,可获得层间插入其他金属氧化物的桥架层状结构纳米复合半导体材料。
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