[发明专利]ZnO基同质结发光二极管无效
| 申请号： | 02136640.3 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1399356A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;吕建国;黄靖云;张银珠;邹璐 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zno 同质 结发 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.ZnO基同质结发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、p-MgxZn1-xO薄膜层(2)、ZnO基层(3)、n-MgxZn1-xO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。
2.按权利要求1所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是所说的p-MgxZn1-xO和n-MgxZn1-xO中的X值为0～1。
3.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是它发射紫外光、紫光、绿光或蓝光。
4.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是衬底为硅、蓝宝石、玻璃、氮化镓、氧化锌。
5.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是第一电极为掺铝的n-ZnO透明导电薄膜或金属薄膜。
6.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是第二电极为铝或金。
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