[发明专利]35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳极箔生产工艺

权利要求书

1、35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳板箔生产工艺，主要经光箔退火、前处理、蚀孔引发、交流腐蚀、后处理、热处理、化成、清洗、热处理、复片、清洗、热处理，最后形成成品箔，其特征在于蚀孔引发时采用30～50Hz的正弦波，同时，在交流腐蚀时腐蚀液为以盐酸为主，硝酸、磷酸、草酸为辅，并添加高效缓蚀剂，腐蚀液的温度为30～50℃。

2、根据权利要求1所述工艺，其特征在于交流腐蚀的腐蚀液中，盐酸占腐蚀液重量比10～25％，硝酸、磷酸、草酸各占重量比0.1～10％，高效缓蚀剂为乌洛托品或硫脲，占腐蚀液的重量比为乌洛托品0.1～5％，硫脲为0.01～8％。

3、根据权利要求1或2所述工艺，其特征在于光箔退火温度为400～460℃，保温时间为16～28小时。

4、根据权利要求1或2所述工艺，其特征在于在前处理工艺中，以烷基苯磺酸钠表面活性剂和碱液为表面清洁剂，其中，碱液占5～6％，烷基苯磺酸钠表面活性剂占0.1～2％。

5、根据权利要求1或2所述工艺，其特征在于在后处理工艺中，采用1～10％的硝酸为清洗液。

6、根据权利要求1或2所述工艺，其特征在于化成箔工艺中，采用高效、高纯复合化成液，化成温度为60～90℃。

7、根据权利要求6所述工艺，其特征在于复合化成液为3～20％已二酸铵和0.01～0.1％柠檬酸。