[发明专利]铁－钴合金纳米线阵列高密度垂直磁记录材料及制备无效
| 申请号： | 02138034.1 | 申请日： | 2002-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1397932A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 唐少龙;陈薇;都有为 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;C25D11/02 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 纳米 阵列 高密度 垂直 记录 材料 制备 | ||
【权利要求书】：
1、铁-钴合金纳米线阵列高密度垂直磁记录材料，其特征是在电化学阳极氧化氧化铝纳米孔洞模板，设有电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列，铁-钴合金组成的合金CoxFe1-x(10≤x≤60)。
2、由权利要求1所述的铁-钴合金纳米线阵列高密度垂直磁记录材料，其特征是x优先取30≤x≤35。
3、铁-钴合金纳米线阵列高密度垂直磁记录材料的制备方法，其特征是先以电化学沉积方法将铁钴合金纳米线阵列沉积在氧化铝纳米孔洞模板内，然后在300-600℃条件下退火，得到高性能的铁钴合金纳米线阵列磁记录材料。
4、由权利要求3所述的铁-钴合金纳米线阵列高密度垂直磁记录材料的制备方法，其特征是电解液为0.3-0.5M的硫酸水溶液，电压为15V～27V。
5、由权利要求3所述的铁-钴合金纳米线阵列高密度垂直磁记录材料的制备方法，其特征是300-600℃条件下退火十分钟至2小时。
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