[发明专利]光刻胶层中减小图案大小的方法有效
申请号: | 02140154.3 | 申请日: | 2002-07-04 |
公开(公告)号: | CN1396627A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
发明(设计)人: | 菅田祥树;金子文武;立川俊和 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉,贾静环 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 胶层中 减小 图案 大小 方法 | ||
1、一种减小基质上的光刻胶图案大小的方法,包括下述步骤:
(a)用涂料水溶液涂覆基质表面上的有图案光刻胶层形成涂层,所述涂料水溶液包括水溶性树脂和水溶性胺化合物;
(b)干燥涂料水溶液的涂层;
(c)将干燥的涂层进行热处理使涂层产生热收缩并降低光刻胶图案之间的距离;和
(d)通过水洗除去涂层。
2、根据权利要求1的方法,其中水溶性树脂选自基于亚烷基二醇的聚合物,基于纤维素的聚合物,乙烯基聚合物,丙烯酸酯类聚合物,基于脲的聚合物,基于环氧树脂的聚合物,基于三聚氰胺的聚合物和基于聚酰胺的聚合物。
3、根据权利要求1的方法,其中涂料水溶液含有3-50wt%的水溶性树脂。
4、根据权利要求1的方法,其中水溶性胺化合物选自25℃下pKa值为7.5-13.0的胺化合物。
5、根据权利要求1的方法,其中包括在涂料水溶液中的水溶性胺化合物的含量为水溶性树脂含量的0.1-30wt%。
6、根据权利要求1的方法,其中步骤(c)的热处理温度低于有图案光刻胶层的软化点。
7、根据权利要求4的方法,其中水溶性胺化合物是单乙醇胺或三乙醇胺。
8、一种减小基质表面上的光刻胶图案大小的方法,包括下述步骤:
(a2)用含有水溶性树脂的涂料水溶液涂覆有图案的光刻胶层,所述水溶性树脂是(甲基)丙烯酸和烯属式不饱和单体化合物的共聚物,所述烯属式不饱和单体化合物选自N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基咪唑啉酮、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、N,N-二甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基氨丙基甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基氨丙基丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、二丙酮丙烯酰胺、N,N-二甲基氨乙基甲基丙烯酸酯、N,N-二乙基氨乙基甲基丙烯酸酯、N,N-二甲基氨乙基丙烯酸酯、N-丙烯酰基-吗啉;
(b2)干燥该涂层得到水溶性树脂的干燥涂层;
(c2)将干燥的涂层进行热处理,使涂层产生热收缩并降低有图案光刻胶层的大小;和
(d2)通过水洗溶解掉该涂层。
9、根据权利要求8的方法,其中水溶性树脂是(甲基)丙烯酸和烯属式不饱和单体化合物在共聚比为4∶1-1∶1摩尔范围内的共聚物。
10、根据权利要求8的方法,其中步骤(c2)中的热处理是在低于有图案光刻胶层软化温度下的温度下进行。
11、一种降低基质表面上的光刻胶图案大小的方法,包括下述步骤:
(a2)用含有水溶性树脂的涂料水溶液涂覆有图案的光刻胶层形成涂料水溶液的涂层,所述水溶性树脂是N-乙烯基吡咯烷酮的均聚物或N-乙烯基吡咯烷酮和下述共聚单体的共聚物,所述共聚单体是N-乙烯基咪唑啉酮、N-丙烯酰基-吗啉或它们的组合;
(b2)干燥该涂层得到水溶性树脂的干燥涂层;
(c2)将干燥的涂层进行热处理,使涂层产生热收缩并降低有图案光刻胶层的大小;和
(d2)通过水洗溶解掉该涂层。
12、根据权利要求11的方法,其中水溶性树脂是N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
13、根据权利要求12的方法,其中水溶性树脂是N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基咪唑啉酮在共聚物为9∶1-1∶9摩尔下的共聚物。
14、根据权利要求11的方法,其中步骤(c2)中的热处理温度低于有图案光刻胶层的软化点。
15、在涂覆热流动方法中用于降低基质上的有图案光刻胶层的图案大小的涂料水溶液,包括水溶性树脂和水溶性胺化合物。
16、根据权利要求15的涂料水溶液,其中水溶性树脂选自基于亚烷基二醇的聚合物、纤维素聚合物、乙烯基聚合物、丙烯酸酯类聚合物、基于脲的聚合物、环氧聚合物、基于三聚氰胺的聚合物和聚酰胺聚合物。
17、根据权利要求15的涂料水溶液,其中水溶性胺化合物的pK值为7.5-13。
18、根据权利要求15的涂料水溶液,其中水溶性胺化合物是单乙醇胺或三乙醇胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造